MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT47H128M4BT-37E:A TR
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가격 Based on current price
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR2 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 128M x 4 기억기접합 대비
클럭 주파수 267 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 500이지 추신 전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 0' C ~ 85' C (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 92-TFBGA 공급자의 장치 패키지 92-FBGA(11x19)
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Part Number Description
MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA
MT47H32M16BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8BT-3 L:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H128M8BT-37E L:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8BT-5E L:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
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MT47H128M8BT-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-37E:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H256M4BT-3:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4BT-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-37E:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H64M16BT-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-5E:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H256M4B7-37E:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H256M4B7-37E:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8B7-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H128M8B7-5E:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H128M8B7-5E L:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H128M8B7-5E L:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H128M8B7-37E:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8B7-37E:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8B7-37E L:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H128M8B7-37E L:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H64M16B7-37E:A IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H64M16B7-37E:A TR IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA
MT47H64M16B7-5E:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16B7-5E:A IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
MT47H64M16BT-3:A TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 메그 x 4 x 8 은행
MT47H128M8 16 메그 x 8 x 8 뱅크
MT47H64M16 8 메그 x 16 x 8 은행

특징

• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC 표준 1.8V I/O (SSTL_18 호환)
• 차차 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 옵션
• 4n-비트 prefetch 구조
• x8에 대한 복제 출력 스트로브 (RDQS) 옵션
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• WRITE 지연 = READ 지연 - 1 tCK
• 선택 가능한 폭발 길이 (BL): 4 또는 8
• 조절 가능한 데이터 출력 드라이브 강도
• 64ms, 8192 사이클 갱신
• 죽기 직전 종식 (ODT)
• 산업 온도 (IT) 옵션
• 자동차 온도 (AT) 옵션
• RoHS 준수
• JEDEC 클럭 지터 사양을 지원합니다

사양

속성속성 값
제조업자마이크론 테크놀로지
제품 분류메모리 IC
시리즈-
포장절단 테이프 (CT)
패키지 케이스92-FBGA
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
인터페이스병렬
전압 공급1.7V ~ 1.9V
공급자 제품 패키지-
메모리 용량512M (128Mx4)
메모리 타입DDR2 SDRAM
속도3.75ns
형식 메모리RAM

설명

SDRAM - DDR2 메모리 IC 512Mb (128M x 4) 병렬 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)