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MT47H128M4BT-37E:A TR IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량 | 512Mbit |
메모리구성 | 128M x 4 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 267 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 500이지 추신 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | 0' C ~ 85' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 92-TFBGA | 공급자의 장치 패키지 | 92-FBGA(11x19) |
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Part Number | Description | |
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MT47H128M4BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
MT47H32M16BT-37E:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-3 L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8BT-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H256M4BT-3:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16BT-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16BT-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H256M4B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H256M4B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-5E L:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E L:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H128M8B7-37E L:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-37E:A | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-37E:A TR | IC DRAM 1GBIT PAR 92FBGA | |
MT47H64M16B7-5E:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16B7-5E:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA | |
MT47H64M16BT-3:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 92FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 메그 x 4 x 8 은행MT47H128M8 16 메그 x 8 x 8 뱅크
MT47H64M16 8 메그 x 16 x 8 은행
특징
• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1VJEDEC 표준 1.8V I/O (SSTL_18 호환)
• 차차 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 옵션
• 4n-비트 prefetch 구조
• x8에 대한 복제 출력 스트로브 (RDQS) 옵션
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• WRITE 지연 = READ 지연 - 1 tCK
• 선택 가능한 폭발 길이 (BL): 4 또는 8
• 조절 가능한 데이터 출력 드라이브 강도
• 64ms, 8192 사이클 갱신
• 죽기 직전 종식 (ODT)
• 산업 온도 (IT) 옵션
• 자동차 온도 (AT) 옵션
• RoHS 준수
• JEDEC 클럭 지터 사양을 지원합니다
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 절단 테이프 (CT) |
패키지 케이스 | 92-FBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
공급자 제품 패키지 | - |
메모리 용량 | 512M (128Mx4) |
메모리 타입 | DDR2 SDRAM |
속도 | 3.75ns |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 512Mb (128M x 4) 병렬 267MHz 500ps 92-FBGA (11x19)
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