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RMLV0408EGSA-4S2#AA1 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I 레네사스 전자 아메리카 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM | 메모리 용량 | 4Mbit |
메모리구성 | 512K X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 45 나노 초 |
엑세스 시간 | 45 나노 초 | 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 32-TFSOP(0.465", 11.80mm 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 32-TSOP I |
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Part Number | Description | |
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RMLV0408EGSA-4S2#AA1 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-5SI#B1 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-5SI#B1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-5SI#S1 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0108ESA-5SI#B1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
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R1LV0108ESA-5SI#S1 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-5SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-5SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-5SR#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-5SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LP0108ESA-7SI#B0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
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R1LV0108ESA-7SI#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0108ESA-7SR#S0 | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-5SI#B0 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-7SI#B0 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-5SI#S0 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
R1LV0208BSA-7SI#S0 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32STSOP | |
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I | |
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP I |
제품 설명
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 레네사스 전자제품 미국 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 32-TFSOP (0.465", 11.80mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 32-sTSOP |
메모리 용량 | 4M (512K x 8) |
메모리 타입 | SRAM |
속도 | 45n |
형식 메모리 | RAM |
설명
SRAM 메모리 IC 4Mb (512K x 8) 병렬 45ns 32-sTSOP
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