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AS4C128M32MD2A-18BIN IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA 얼라이언스 메모리, 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR2 | 메모리 용량 | 4Gbit |
메모리구성 | 128M X 32 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 533 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | - | 전압 - 공급 | 1.14V ~ 1.95V |
작동 온도 | -40' C ~ 85' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 134-VFBGA | 공급자의 장치 패키지 | 134-FBGA(10x11.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS4C128M32MD2A-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C8M32MD2A-25BCN | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BIN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BIN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-25BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2A-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BCNTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BIN | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M32MD2-18BINTR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCN | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C32M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C128M16MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCN | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA | |
AS4C64M32MD2A-25BCNTR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
• 조직: 1,048,576 단어 × 4 비트• 고속
- 40/50/60/70 ns RAS 접속 시간
- 20/25/30/35 ns 열 주소 접근 시간
- 10/13/15/18 ns CAS 접근 시간
• 낮은 전력 소비
- 액티브: 최대 385mW (-60)
대기 상태: 최대 5.5mW, CMOS I/O
• 빠른 페이지 모드 (AS4C14400) 또는 EDO (AS4C14405)
• 1024 리프레쉬 사이클, 16 ms 리프레쉬 간격
- RAS 전만 또는 CAS 전 RAS 갱신
• 읽기-변경-쓰기
• TTL 호환, 3 상태 I/O
• JEDEC 표준 패키지
- 300 밀리, 20/26 핀 SOJ
- 300 밀리, 20/26 핀 TSOP
• 단일 5V 전원 공급
• ESD 보호 ≥ 2001V
• 잠금 전류 ≥ 200mA
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
제품 분류 | IC 칩 |
Mfr | 얼라이언스 메모리 |
시리즈 | - |
패키지 | 트레이 |
제품 상태 | 액티브 |
메모리 타입 | 휘발성 |
메모리 형식 | DRAM |
기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR2 |
메모리 크기 | 4Gb (128M x 32) |
메모리 인터페이스 | 병렬 |
시계 주파수 | 533 MHz |
글쓰기 사이클 시간 단어 페이지 | 15n |
전압 공급 | 1.14V ~ 1.95V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TC) |
장착형 | 표면 마운트 |
패키지 케이스 | 134-VFBGA |
공급자 제품 패키지 | 134-FBGA (10x11.5) |
기본 제품 번호 | AS4C128 |
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