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W9812G6KH-6 IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II 윈본드 전자
| 브랜드 이름 | Winbond Electronics |
|---|---|
| 모델 번호 | W9812G6KH-6 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 128Mbit |
| 메모리구성 | 8M x 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | 5 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 54 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 54-TSOP II |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W9812G6KH-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-5 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6 TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-5 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6I TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6KH-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-5 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6KH-6I | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-5 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6KH-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6IH-6 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6IH-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6EH-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6JH-6I | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6JH-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| MD56V62160M-7TAZ0AX | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9864G6JH-5 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9812G6JH-5 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
| W9825G6JH-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
W9812G6KH는 2M 단어 x 4 뱅크 x 16 비트로 구성된 고속 동기 동적 동적 무작위 액세스 메모리 (SDRAM) 이다. W9812G6KH는 초당 최대 200M 단어의 데이터 대역폭을 제공합니다.개인용 컴퓨터 산업 표준을 완전히 준수하기, W9812G6KH는 다음과 같은 속도급으로 분류됩니다: -5, -5I, -5J, -6, -6I, -6J 및 -75.
특징
3.3V ± 0.3V 전원 공급
최대 200MHz 시계 주파수
2,097152 단어 4 은행 16 비트 조직
자동 업데이트 모드
CAS 지연: 2와 3
분출 길이는: 1, 2, 4, 8 및 전체 페이지
퍼스트 읽기, 싱글 쓰기 모드
LDQM, UDQM에 의해 제어되는 바이트 데이터
전원 종료 모드
자동 전 충전 및 제어 전 충전
4K 갱신 주기/64mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 85°C
4K 갱신 주기/16mS, @ -40°C ≤ TA ≤ 105°C
인터페이스: LVTTL
TSOP II 54pin, 400ml로 포장되어 RoHS를 준수하는 납 없는 재료를 사용합니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 윈본드 전자제품 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 튜브 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 54-TSOP II |
| 메모리 용량 | 128M (8M x 16) |
| 메모리 타입 | SDRAM |
| 속도 | 166MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 128Mb (8M x 16) 병렬 166MHz 5ns 54-TSOP II
DRAM 칩 SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54핀 TSOP-II
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