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DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP 아날로그 디바이스 인크./맥심 통합
| 브랜드 이름 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| 모델 번호 | DS1220AD-100IND+ |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) | 메모리 용량 | 16Kbit |
| 메모리구성 | 2K Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 100 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 100 나노 초 | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | 24 하락 모듈 (0.600 ", 15.24 밀리미터) | 공급자의 장치 패키지 | 24-EDIP |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1220AD-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-120+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-150 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-120 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100 | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-200IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AD-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-100IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220AB-150IND | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-200+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-200IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-100IND+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-100+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP | |
| DS1220Y-150+ | IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
DS1220AB 및 DS1220AD 16k 비휘발성 SRAM은 16,384비트, 완전히 정적, 비휘발성 SRAM이며, 8비트로 2048개의 단어로 구성되어 있습니다.각 NV SRAM에는 독립적인 리?? 에너지 소스와 제어 회로가 있으며, VCC를 지속적으로 허용 이상 상태를 모니터링합니다.이러한 상태가 발생하면 리?? 에너지 소스가 자동으로 켜지고 기록 보호가 조건없이 활성화되어 데이터 손상 방지됩니다.NV SRAM는 기존 2k x 8 SRAM을 대신하여 사용 가능하며, 인기 있는 바이트 와이드 24 핀 DIP 표준에 직접적으로 부합합니다.이 장치는 2716 EPROM과 2816 EEPROM의 핀아웃과도 일치하여 성능을 향상시키는 동시에 직접 교체 할 수 있습니다.실행할 수 있는 기록 주기의 수에 제한이 없으며 마이크로프로세서 인터페이스를 위한 추가 지원 회로가 필요하지 않습니다..
특징
■ 외부 전원이 없는 경우 최소 10년 데이터 보존■ 전력 손실 시 자동으로 데이터가 보호 됩니다
■ 2k x 8 휘발성 정적 RAM 또는 EEPROM을 직접 대체합니다.
■ 무제한 기록 주기
■ 저전력 CMOS
■ JEDEC 표준 24핀 DIP 패키지
■ 읽기 및 쓰기 액세스 시간 100 ns
■ 리?? 에너지 소스 는 처음 전원 공급 을 받기 전 까지 신선 함 을 유지 하기 위해 전기적 으로 단속 되어 있다
■ 전체 ±10% VCC 작동 범위 (DS1220AD)
■ 선택적 ±5% VCC 작동 범위 (DS1220AB)
■ 선택적 산업 온도 범위 -40°C ~ +85°C, IND로 지정
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 댈러스 반도체 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | DS1220AD |
| 포장 | 튜브 |
| 장착 방식 | 구멍을 통해 |
| 패키지 케이스 | 24-DIP 모듈 (0.600", 15.24mm) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 공급자 제품 패키지 | 24-EDIP |
| 메모리 용량 | 16K (2K x 8) |
| 메모리 타입 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
| 속도 | 100n |
| 접근 시간 | 100 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 작동 온도 범위 | - 40C |
| 가동 공급 전류 | 85mA |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 2k x 8 |
| 부분-#-위명 | 90-1220A+D1I DS1220AD |
| 데이터 버스 너비 | 8비트 |
| 공급 전압 최대 | 5.5V |
| 공급 전압-분 | 4.5V |
| 패키지 케이스 | EDIP-24 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| DS1220Y-100 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 확장, DIP-24 | 댈러스 반도체 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220Y-100 |
| DS1220AB-100IND 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AB-100IND |
| DS1220AD-100 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.720 INCH, 확장, DIP-24 | 댈러스 반도체 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AD-100 |
| DS1220Y-100IND 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220Y-100IND |
| DS1220AD-100IND 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AD-100IND |
| DS1220AB-100+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AB-100+ |
| DS1220AB-100IND+ 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, PDMA24, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AB-100IND+ |
| DS1220Y-100+ 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220Y-100+ |
| DS1220Y-100IND+ 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 2KX8, 100ns, CMOS, 0.720 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-24 | Maxim 통합 제품 | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220Y-100IND+ |
| DS1220AB-100 기억력 |
2KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 100ns, DMA24, 0.720 INCH, PLASTIC, DIP-24 | 로체스터 전자제품 LLC | DS1220AD-100IND+ 대 DS1220AB-100 |
설명
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 16Kb (2K x 8) 병렬 100ns 24-EDIP
NVRAM 16k 비휘발성 SRAM
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