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5962-3829407MXA IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP 레네사스 전자제품 미국

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 64Kbit |
메모리구성 | 8K X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | - | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C(TA) | 장착형 | 구멍을 통해 |
패키지 / 케이스 | 28 CDIP (0.600 ", 15.24 밀리미터) | 공급자의 장치 패키지 | 28-CDIP |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
5962-3829407MXA | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855202XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S55DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S55DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S70DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
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7164L100DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L35DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
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7164L85DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
5962-8855204XA | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
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71256L35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
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71256S100DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S70DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256L85DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S25DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S35DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
71256S45DB | IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164L25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S20DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S25DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP | |
7164S45DB | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
AT28C010은 고성능 전기 지우기 및 프로그래밍 가능한 읽기 전용 메모리입니다. 1 메가 비트 메모리는 8 비트로 131,072 단어로 구성되어 있습니다.ATMEL의 첨단 비휘발성 CMOS 기술로 제조, 장치는 단 440mW의 전력 소모와 함께 120 ns의 액세스 시간을 제공합니다. 장치가 선택되지 않을 때 CMOS 대기 전류는 300 μA 미만입니다.
특징
• 빠른 읽기 액세스 시간 - 120 ns• 자동 페이지 쓰기 동작
128 바이트의 내부 주소 및 데이터 락
내부 제어 타이머
• 빠른 쓰기 주기 시간
페이지 쓰기 주기 시간 - 최대 10ms
1~128 바이트 페이지 쓰기 작업
• 낮은 전력 소모
80mA 액티브 전류
300μA CMOS 대기 전류
• 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호
• 작성 종료 탐지용 데이터 설문 조사
• 높은 신뢰성 있는 CMOS 기술
견고성: 104~105회
데이터 보관 기간: 10년
• 5V ± 10% 단원 공급
• CMOS 및 TTL 호환 입력 및 출력
• JEDEC 승인 바이트 폭 피누트
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 통합 회로 시스템 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | 5962-38294 |
종류 | 비동기 |
포장 | 튜브 |
장착 방식 | 구멍을 통해 |
패키지 케이스 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
공급자 제품 패키지 | 28-CDIP |
메모리 용량 | 64K (8K x 8) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | - |
접근 시간 | 70 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 125C |
작동 온도 범위 | - 55C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 8k x 8 |
부분-#-위명 | 5962-38294 |
공급 전압 최대 | 5.5V |
공급 전압-분 | 4.5V |
패키지 케이스 | CDIP-28 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
AS6C6264A-70PIN 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, DIP-28 | 얼라이언스 메모리 | 5962-3829407MXA 대 AS6C6264A-70PIN |
FT6264L-70DWMLF 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS 컴플라이언트, 세라믹, DIP-28 | 포스 테크놀로지스 Ltd | 5962-3829407MXA 대 FT6264L-70DWMLF |
V62C51864L-70P 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 모셀 비텔리크 코퍼레이션 | 5962-3829407MXA 대 V62C51864L-70P |
5962-3829407MXA 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 | 모토로라 반도체 제품 | 5962-3829407MXA 대 5962-3829407MXA |
AS6C6264A-70PCN 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, DIP-28 | 얼라이언스 메모리 | 5962-3829407MXA 대 AS6C6264A-70PCN |
FT6264L-70DWMBLF 기억력 |
표준 SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, ROHS 컴플라이언트, 세라믹, DIP-28 | 포스 테크놀로지스 Ltd | 5962-3829407MXA 대 FT6264L-70DWMBLF |
IMS1630LS-70M 기억력 |
8KX8 STANDARD SRAM, 70ns, CDIP28, 사이드 브레이즈, 세라믹, DIP-28 | STM이크로전자 | 5962-3829407MXA 대 IMS1630LS-70M |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 64Kb (8K x 8) 병렬 28-CerDip
SRAM 64K 비동기 8K x 8 SRAM
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