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IS43TR85120A-15HBL-TR IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 브랜드 이름 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | IS43TR85120A-15HBL-TR |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR3 | 메모리 용량 | 4Gbit |
| 메모리구성 | 512M Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 667 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
| 작동 온도 | 0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 78-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 78-TWBGA(9x10.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43TR85120A-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBL | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBLI | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBL-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-15HBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-125KBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-107MBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA1-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBL-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120A-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA2 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBLI | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120A-125KBLA2-TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-125KBLA1 | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBL | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120A-093NBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS43TR85120AL-107MBLI-TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA | |
| IS46TR85120AL-107MBLA2 | IC DRAM 4GBIT PAR 78TWBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V● 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
● 1066MHz 까지의 시스템 주파수 와 함께 고속 데이터 전송 속도
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8n-비트 전 검색 아키텍처
● 프로그래밍 가능한 CAS 지연
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● tCK 를 기반으로 프로그래밍 할 수 있는 CAS WRITE 지연 (CWL)
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서적 또는 간간적
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
● 적어 놓음
● DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | ISSI |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 78-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
| 공급자 제품 패키지 | 78-TWBGA (9x10.5) |
| 메모리 용량 | 4G (512M x 8) |
| 메모리 타입 | DDR3 SDRAM |
| 속도 | 667MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR3 메모리 IC 4Gb (512M x 8) 병렬 667MHz 20ns 78-TWBGA (9x10.5)
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