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MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO 마이크로 기술 인크

  • MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO Micron Technology Inc.
브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT28F400B3SG-8B
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 -도 또한 메모리 용량 4Mbit
메모리구성 512K x 8, 256K x 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 80 나노 초
엑세스 시간 80 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 44-SOIC(0.496", 12.60mm 폭) 공급자의 장치 패키지 44-SO
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT28F400B3SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B3SG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 B IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 B TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 BET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 BET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 TET IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SG-8 TET TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SP-8 T IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F400B5SP-8 T TR IC FLASH 4MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B3SG-9 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 B IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 B TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 BET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 BET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 T IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 T TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 TET IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
MT28F800B5SG-8 TET TR IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

MT28F004B3 (x8) 및 MT28F400B3 (x16/x8) 는 휘발성 없는, 전기적으로 블록 지워 (플래시) 할 수 있는 프로그램 가능한 메모리 장치로,194,304 비트 262,144 단어 (16 비트) 또는 524,288 바이트 (8 비트) 로 구성됩니다. 장치를 작성하거나 삭제하는 것은 3.3V 또는 5V VPP 전압으로 수행되며 모든 작업은 3로 수행됩니다.3V VCC프로세스 기술 발전으로 인해 5V VPP는 응용 프로그램 및 생산 프로그래밍에 최적화됩니다. 이러한 장치는 마이크로 즈의 고급 0.18μm CMOS 부동 성문 프로세스로 제조됩니다.
MT28F004B3와 MT28F400B3는 7개의 별도로 지울 수 있는 블록으로 구성되어 있습니다.장치는 하드웨어 보호 부팅 블록을 갖추고 있습니다.. 부트 블록을 작성하거나 삭제하려면 RP# 핀에 초전압을 가하거나 WP# HIGH을 실행하는 것이 필요합니다.이 블록은 낮은 수준의 시스템 복구에서 구현된 코드를 저장하는 데 사용될 수 있습니다.나머지 블록은 밀도가 다양하고 추가적인 보안 조치가 없이 작성되고 지워집니다.

특징

• 7개의 삭제 블록:
16KB/8K 워드 부트 블록 (보호)
두 개의 8KB/4K 단어 매개 변수 블록
4개의 주요 메모리 블록
• 스마트 3 기술 (B3):
3.3V ±0.3V VCC
3.3V ±0.3V VPP 응용 프로그램 프로그래밍
5V ±10% VPP 응용/생산 프로그래밍1
• 0.3μm 스마트 3 장치와 호환
• 첨단 0.18μm CMOS 떠있는 게이트 프로세스
• 주소 접근 시간: 80 ns
• 10만 번의 ERASE 사이클
• 업계 표준 피노트
입력과 출력은 TTL와 완전히 호환됩니다.
• 자동 기록 및 삭제 알고리즘
• 두 주기의 WRITE/ERASE 순서
• 바이트 또는 단어 전체 를 읽고 쓰는 방법
(MT28F400B3, 256K x 16/512K x 8)
• 바이트 전체 읽기 및 쓰기 전용
(MT28F004B3, 512K x 8)
• TSOP 및 SOP 포장 옵션

사양

속성 속성 값
제조업자 마이크론 테크놀로지
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 대용품
패키지 케이스 44-SOIC (0.496", 12.60mm 너비)
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 44-SOP
메모리 용량 4M (512K x 8, 256K x 16)
메모리 타입 플래시 - NOR
속도 80n
형식 메모리 플래시

설명

플래시 - NOR 메모리 IC 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 평행 80ns 44-SOP
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC