모든 제품
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 브랜드 이름 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | MT46H16M32LFCM-6 TR |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.
왓츠앱:0086 18588475571
위챗: 0086 18588475571
스카이프: sales10@aixton.com
만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.
x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR | 메모리 용량 | 512Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 32 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 5 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 90-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 90-VFBGA(10x13) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT46H16M32LFCM-6 TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:A TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-75:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-75 IT | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-5:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H16M32LFCX-6:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-5 IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H32M32LFCM-6 L IT:A TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT48H16M32LFCM-6 L IT:B TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-5 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
모바일 저전력 DDR SDRAM
특징
• VDD/VDDQ = 1.70~1.95V• 데이터 바이트당 양방향 데이터 스트로브 (DQS)
• 내부, 파이프 라인 된 이중 데이터 속도 (DDR) 아키텍처, 시계 주기에 두 개의 데이터 액세스
• 차차 시계 입력 (CK와 CK#)
• 각 긍정적 CK 가장자리에 입력 명령어
• DQS 가장자리가 READ의 데이터와 정렬되어 있고, 중앙은 WRITE의 데이터와 정렬되어 있습니다
• 4개의 내부 은행을 동시 운영
• 데이터 마스크 (DM) 는 기록 데이터를 마스크하기 위해, 바이트 당 하나의 마스크
• 프로그래밍 가능한 펄스트 길 (BL): 2, 4, 8, 또는 16
• 동시 자동 전 충전 옵션이 지원 됩니다
• 자동 갱신 및 자동 갱신 모드
1.8V LVCMOS 호환 입력
• 온도 보상 자신 갱신 (TCSR)
• 부분 배열 자신 갱신 (PASR)
• 깊은 전력 중단 (DPD)
• 상태 읽기 레지스터 (SRR)
• 선택 가능한 출력 드라이브 강도 (DS)
• 시계 정지 기능
• 64ms 갱신, 자동차 온도 32ms
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | |
| 패키지 케이스 | 90VFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
| 공급자 제품 패키지 | 90VFBGA (10x13) |
| 메모리 용량 | 512M (16M x 32) |
| 메모리 타입 | 모바일 LPDDR SDRAM |
| 속도 | 166MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mb (16M x 32) 병렬 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
추천된 제품
