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CYDM256B16-55BVXI IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA 인피니언 테크놀로지
| 브랜드 이름 | Infineon Technologies |
|---|---|
| 모델 번호 | CYDM256B16-55BVXI |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 듀얼 포트, MoBL | 메모리 용량 | 256Kbit |
| 메모리구성 | 16K Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 55 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 55 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 100-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 100-vfbga (6x6) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| CYDM256B16-55BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM064B08-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B08-55BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-40BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-40BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM064B16-55BVXIT | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDM128B08-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B08-55BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-40BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-40BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM128B16-55BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-40BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-40BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDM256B16-55BVXIT | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX064A16-90BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-65BVXIT | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128A16-90BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-65BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX256A16-90BVXI | IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX128B16-65BVXI | IC SRAM 128KBIT PAR 100VFBGA | |
| CYDMX064B16-65BVXI | IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
축성 납 정밀 저항
홀코 제품군 정밀 금속 필름 저항기는 산업 및 군사용 용품에 대한 경제적인 가격 구성 요소의 요구 사항을 충족시킵니다.제조 시설은 금속 합금 필름의 세라믹 기판에 스프터 코팅을 포함하여 엄격하게 통제 된 생산 프로세스를 사용합니다., 레이저 나선형을 사용하여 근 tolerances 및 높은 안정성 저항을 달성합니다. 환경 및 기계적 보호를 위해 에포시 코팅이 적용됩니다.상업적으로 시리즈는 두 개의 케이스 크기로 제공됩니다., 1 오hm에서 4M 오hm까지, 0.05%에서 1%까지의 허용도와 5ppm/°C에서 100ppm/°C까지의 TCRs. BS CECC 40101 004, 030 및 804에 대한 출시와 함께 제공되는 H8은 유통을 통해 제공됩니다.
주요 특징
■ 초정밀 - 0.05%까지■ 2ppm/°C까지 사용가능한 일치된 세트
■ 높은 펄스 를 견딜 수 있다
■ 낮은 반응성
■ 낮은 TCR - 5ppm/°C까지
■ 장기적 안정성
■ 70°C 에서 최대 1 와트
■ CECC 40101 004, 030 및 804에 공개
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 사이프러스 반도체 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | CYDM256B16 |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 상표명 | MOBL |
| 패키지 케이스 | 100VFBGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V |
| 공급자 제품 패키지 | 100-VFBGA (6x6) |
| 메모리 용량 | 256K (16K x 16) |
| 메모리 타입 | SRAM - 듀얼 포트, MoBL |
| 속도 | 55n |
| 데이터 비율 | SDR |
| 접근 시간 | 55 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 작동 온도 범위 | - 40C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 16k x 16 |
| 공급 전류 최대 | 25mA |
| 공급 전압 최대 | 1.9V |
| 공급 전압-분 | 1.7V |
| 패키지 케이스 | BGA-100 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| IDT70P9268L50BZG 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 IDT70P9268L50BZG |
| CYDMX256B16-65BVXI 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, 리드 프리, MO-195C, VFBGA-100 | 사이프러스 반도체 | CYDM256B16-55BVXI 대 CYDMX256B16-65BVXI |
| CYDMX256A16-65BVXI 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 65ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, 리드 프리, MO-195C, VFBGA-100 | 사이프러스 반도체 | CYDM256B16-55BVXI 대 CYDMX256A16-65BVXI |
| CYDM256B16-55BVXIT 기억력 |
멀티 포트 SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, 리드 프리, MO-195C, VFBGA-100 | 사이프러스 반도체 | CYDM256B16-55BVXI 대 CYDM256B16-55BVXIT |
| IDT70P926850BZGI 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 IDT70P926850BZGI |
| IDT70P926850BZG 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 12ns, CMOS, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 IDT70P926850BZG |
| CYDM256B16-55BVXC 기억력 |
16KX16 듀얼 포트 SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, 리드 무료, MO-195C, VFBGA-100 | 로체스터 전자제품 LLC | CYDM256B16-55BVXI 대 CYDM256B16-55BVXC |
| 70P265L90BYGI 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.5 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 70P265L90BYGI |
| IDT70P9268L50BZGI 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 10ns, PBGA100, GREEN, FPBGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 IDT70P9268L50BZGI |
| 70P265L90BYGI8 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 16KX16, 90ns, CMOS, PBGA100, 0.50 MM PITCH, GREEN, BGA-100 | 통합 장치 기술 Inc | CYDM256B16-55BVXI 대 70P265L90BYGI8 |
설명
SRAM - 듀얼 포트, MoBL 메모리 IC 256Kb (16K x 16) 병렬 55ns 100-VFBGA (6x6)
SRAM 칩 비동기 듀얼 1.8V 256K-비트 16K x 16 55ns 100-핀 VFBGA 트레이
SRAM 256K 16Kx16 MoBL 듀얼 포트 IND
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