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S29CD016J0MQFM030 IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP 인피니언 테크놀로지

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 -도 또한 | 메모리 용량 | 16Mbit |
메모리구성 | 512K x 32 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 56 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 60 나노 초 |
엑세스 시간 | 54ns | 전압 - 공급 | 1.65V ~ 2.75V |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 80-BQFP | 공급자의 장치 패키지 | 80-PQFP(14x20) |
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Part Number | Description | |
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S29CD016J0MQFM030 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0MQAM013 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0MQAM113 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0PQFM013 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J1MQAM113 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0JQFM110 | IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP | |
S29CD016J0MQFI000 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0PQAM010 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J1JQAM010 | IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP | |
S29CD016J0MQFM010 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD032J0MQFI000 | IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0PQAM013 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J0PQAM113 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J0PQFM113 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J1JQFM013 | IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP | |
S29CD032J0MQFM013 | IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD032J0RQFM013 | IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP | |
S29CD032J1MQFM013 | IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CL016J0PQFM023 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J0MQAM010 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0PQFM010 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD016J1JQFM010 | IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP | |
S29CD032J0MQFM010 | IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD032J0PQFM010 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CD032J0RQFM010 | IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP | |
S29CD032J1MQFM010 | IC FLASH 32MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CL016J0JQFM030 | IC FLASH 16MBIT PAR 80PQFP | |
S29CL016J0MQFM030 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CL016J0PQFM020 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CL016J0PQFM030 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CL032J0JQAI000 | IC FLASH 32MBIT PAR 80PQFP | |
S29CL032J0PQFM010 | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 80PQFP | |
S29CL032J0RQAI030 | IC FLASH 32MBIT PAR 75MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0MQFM013 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0MQFM110 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0MQFM113 | IC FLASH 16MBIT PAR 56MHZ 80PQFP | |
S29CD016J0PQAM110 | IC FLASH 16MBIT PARALLEL 80PQFP |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
S29CD-G 플래시 패밀리는 170nm 프로세스 기술로 제조된 다재다능 I/OTM 플래시 메모리를 탑재한 번스트 모드, 듀얼 부트, 동시 읽기/쓰기 패밀리이다.
특징적 인 특성
건축 의 장점■ 동시에 읽기/쓰기 작업
삭제하는 동안 한 은행에서 데이터를 읽습니다.
다른 은행의 프로그램 기능
읽기 및 쓰기 작업 사이의 0 지연
두 은행 구조: 큰 은행/작은 은행
75%/25%
■ 사용자 정의 x32 데이터 버스
■ 듀얼 부트 블록
같은 장치의 상부와 하부 부트 섹터
■ 유연한 산업 구조
CD032G: 8 2K 더블 워드, 62 16K
이중 워드, 그리고 8 2K 이중 워드 부문
CD016G: 8 2K 더블 워드, 32 16K
이중 워드, 그리고 8 2K 이중 워드 부문
■ 보안 실리콘 부문 (256 바이트)
공장 잠금 및 식별: 16 바이트 안전,
무작위 공장 전자 일련 번호; 또한 알고
전자 표시로
■ 170nm 공정 기술로 제조
■ 프로그래밍 가능한 Burst 인터페이스
모든 고성능 프로세서와의 인터페이스
선형 폭발 읽기 동작: 2, 4, 8 더블
단어 선형 폭발 또는 그 주위에 윙없이
■ 프로그램 운영
동시 및 비동시 기록 수행
분출 구성 레지스터 설정의 작업
독립적으로
■ 단일 전원 공급
2.5에서 2.75 볼트까지 읽기, 지우기,
프로그램 운영
■ JEDEC 표준과 호환성 (JC42.4)
단일 전원 공급 장치 플래시와 호환되는 소프트웨어
AMD/Fujitsu Am29LV/와 후향 호환
MBM29LV 및 Am29F/MBM29F 플래시 메모리
성능 특성
■ 높은 성능의 읽기 액세스초기 / 무작위 액세스 시간 48 ns (32 Mb) 및 54
ns (16 Mb)
● 7.5 ns (32 Mb) 또는 9 ns (16 Mb) 의 급격한 액세스 시간
■ 초저전력 소비
발사 모드 읽기: 최대 90mA @ 75MHz
프로그램/삭제: 최대 50mA
대기 모드: CMOS: 최대 60μA
■ 각 부문별로 1백만 회 기록
■ 20 년 데이터 보존
■ 다재다능한 OTM 제어
데이터 출력 전압을 생성하고 데이터를 허용합니다.
입력 전압은 전압으로 결정됩니다
VIO 핀
1.65V ~ 3.60V 호환성 I/O 신호
소프트웨어 기능
■ 지속적 산업 보호각 부문과 부문의 조합을 잠그고
프로그램 또는 삭제 작업을 방지하는 그룹
해당 부문 내에서 (만 VCC 수준이 필요합니다)
■ 비밀번호 부문 보호
각 부문과 부문의 조합을 잠그고
프로그램 또는 삭제 작업을 방지하는 그룹
해당 부문 내에서 사용자 정의 가능한 64비트
비밀번호
■ Common Flash Interface (CFI) 를 지원합니다.
■ 해제 우회 프로그램 명령
방송 시 전체 프로그래밍 시간을 줄입니다.
여러 프로그램 명령어 순서
■ 데이터# 설문 조사 및 전환 비트
프로그램 또는 프로그램을 탐지하는 소프트웨어 방법을 제공합니다
삭제 작업 완료
하드웨어 특징
■ 프로그램 중단/재개 및 삭제 중단/재고
프로그램 중지 또는 삭제 작업을 허용
같은 은행에서 읽기, 프로그래밍 또는 지우는
■ 하드웨어 재설정 (RESET#), 준비/활동# (RY/
BY#), 및 Write Protect (WP#) 입력
■ ACC 입력
더 높은 처리량을 위해 프로그래밍 시간을 가속화합니다
시스템 생산 중
■ 패키지 옵션
80핀 PQFP
80볼 강화된 BGA
Pb 없는 패키지 옵션도 있습니다.
잘 알려진 사망자
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | CD-J |
종류 | 부트 블록 |
포장 | 트레이 |
장착 방식 | SMD/SMT |
작동 온도 범위 | - 40C ~ + 125C |
패키지 케이스 | 80BQFP |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 10.65V ~ 2.75V |
공급자 제품 패키지 | 80-PQFP (20x20) |
메모리 용량 | 16M (512K x 32) |
메모리 타입 | 플래시 - NOR |
속도 | 56MHz |
건축물 | 부문 |
형식 메모리 | 플래시 |
표준 | 공통 플래시 인터페이스 (CFI) |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 512 k x 32 |
공급 전류 최대 | 90mA |
데이터 버스 너비 | 32비트 |
공급 전압 최대 | 2.75V |
공급 전압-분 | 2.5V |
패키지 케이스 | PQFP-80 |
최대 시계 주파수 | 56 MHz |
타이밍 타입 | 비동기동기 |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
S29CD016J0JQFI030 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0JQFI030 |
S29CD016J0JQFI110 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0JQFI110 |
S29CD016J0MQFI012 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, 납 없는, 플라스틱, MO-108CB-1, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0MQFI012 |
S29CD016J0MQFM010 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0MQFM010 |
S29CD016J0MQFM110 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0MQFM110 |
S29CD016J0JQFI112 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, 납 없는, 플라스틱, MO-108CB-1, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0JQFI112 |
S29CD016J0JQFI032 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, 납 없는, 플라스틱, MO-108CB-1, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0JQFI032 |
S29CD016J0MQFI013 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0MQFI013 |
S29CD016J0PQFM110 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0PQFM110 |
S29CD016J0MQAM130 기억력 |
플래시, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80 | 사이프러스 반도체 | S29CD016J0MQFM030 대 S29CD016J0MQAM130 |
설명
플래시 - NOR 메모리 IC 16Mb (512K x 32) 병렬 56MHz 54ns 80-PQFP (20x20)
NOR 플래시 병렬/시리얼 2.6V 16M 비트 512K x 32 54ns 자동차 80 핀 PQFP 트레이
플래시 메모리
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