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AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크
| 브랜드 이름 | Alliance Memory, Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | AS4C2M32SA-6TCN |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 64Mbit |
| 메모리구성 | 2M×32 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 2 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 5.5 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 86 TFSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 86-TSOP II |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| AS4C2M32SA-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TIN | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32SA-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32SA-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCNTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TINTR | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-7TCN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C8M32S-6TIN | IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C16M32SC-7TINTR | IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-7TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-7TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TIN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TIN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCNTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TINTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCNTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TINTR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-5TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C2M32S-6TCN | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| AS4C4M32S-6TCN | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A IT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC4M32B2TG-6A:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
| MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
기능 설명
AS4C256K16E0은 16비트로 262,144개의 단어로 구성된 고성능 4메가 비트 CMOS 동적 무작위 액세스 메모리 (DRAM) 이다.AS4C256K16E0는 첨단 CMOS 기술을 사용하여 고속으로 인한 혁신적인 디자인 기술을 사용하여 설계되었습니다., 극히 낮은 전력 및 부품 및 시스템 수준에서 넓은 운영 마진.
특징
• 조직: 262,144 단어 × 16 비트• 고속
- 30/35/50 ns RAS 접속 시간
- 16/18/25 ns 열 주소 접근 시간
- 7/10/10/10 ns CAS 접근 시간
• 낮은 전력 소비
- 액티브: 최대 500mW (AS4C256K16E0-25)
대기 상태: 최대 3.6mW, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• EDO 페이지 모드
• 신선 한 것
- 512 리프레쉬 사이클, 8 ms 리프레쉬 간격
- RAS 전 또는 CAS 전 RAS 갱신 또는 자체 갱신
- 자동 갱신 옵션은 새로운 세대의 장치에만 사용할 수 있습니다. 더 많은 정보를 위해 동맹에 연락하십시오.
• 읽기-변경-쓰기
• TTL 호환, 3 상태 I/O
• JEDEC 표준 패키지
- 400ml, 40pin SOJ
- 400 밀리, 40/44 핀 TSOP II
5V 전원 공급
• 200mA 이상의 잠금 전류
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 |
| 패키지 케이스 | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 86-TSOP II |
| 메모리 용량 | 64M (2M x 32) |
| 메모리 타입 | SDRAM |
| 속도 | 166MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 64Mb (2M x 32) 병렬 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM, 64M3.3V 166MHz, 2M x 32
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