AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크

브랜드 이름 Alliance Memory, Inc.
모델 번호 AS4C2M32SA-6TCN
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM 메모리 용량 64Mbit
메모리구성 2M×32 기억기접합 대비
클럭 주파수 166 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 2 나노 초
엑세스 시간 5.5 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 86 TFSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 86-TSOP II
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Part Number Description
AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TIN IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32SA-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32SA-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-7TCN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C8M32S-6TIN IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II
AS4C16M32SC-7TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-7TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-7TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TIN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TIN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCNTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TINTR IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-5TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C2M32S-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
AS4C4M32S-6TCN IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A:J IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A IT:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC4M32B2TG-6A:L IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II
MT48LC2M32B2TG-6A IT:JTR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

기능 설명

AS4C256K16E0은 16비트로 262,144개의 단어로 구성된 고성능 4메가 비트 CMOS 동적 무작위 액세스 메모리 (DRAM) 이다.AS4C256K16E0는 첨단 CMOS 기술을 사용하여 고속으로 인한 혁신적인 디자인 기술을 사용하여 설계되었습니다., 극히 낮은 전력 및 부품 및 시스템 수준에서 넓은 운영 마진.

특징

• 조직: 262,144 단어 × 16 비트
• 고속
- 30/35/50 ns RAS 접속 시간
- 16/18/25 ns 열 주소 접근 시간
- 7/10/10/10 ns CAS 접근 시간
• 낮은 전력 소비
- 액티브: 최대 500mW (AS4C256K16E0-25)
대기 상태: 최대 3.6mW, CMOS I/O (AS4C256K16E0-25)
• EDO 페이지 모드
• 신선 한 것
- 512 리프레쉬 사이클, 8 ms 리프레쉬 간격
- RAS 전 또는 CAS 전 RAS 갱신 또는 자체 갱신
- 자동 갱신 옵션은 새로운 세대의 장치에만 사용할 수 있습니다. 더 많은 정보를 위해 동맹에 연락하십시오.
• 읽기-변경-쓰기
• TTL 호환, 3 상태 I/O
• JEDEC 표준 패키지
- 400ml, 40pin SOJ
- 400 밀리, 40/44 핀 TSOP II
5V 전원 공급
• 200mA 이상의 잠금 전류

사양

속성 속성 값
제조업자 얼라이언스 메모리, 인크
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 86-TFSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 86-TSOP II
메모리 용량 64M (2M x 32)
메모리 타입 SDRAM
속도 166MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM 메모리 IC 64Mb (2M x 32) 병렬 166MHz 5.5ns 86-TSOP II
DRAM SDRAM, 64M3.3V 166MHz, 2M x 32