모든 제품
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크
| 브랜드 이름 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | IS43LR16200D-6BL-TR |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.
왓츠앱:0086 18588475571
위챗: 0086 18588475571
스카이프: sales10@aixton.com
만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.
x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR | 메모리 용량 | 32Mbit |
| 메모리구성 | 2M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 5.5 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 60-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 60-TFBGA(8x10) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS43LR16200D-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200D-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200D-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200D-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16400C-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16400C-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16800G-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800G-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800G-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800G-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160G-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160G-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160G-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320C-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160G-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320C-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320C-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320C-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320C-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320C-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320C-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320C-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320B-6BLI | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800F-6BLI | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160F-6BL | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160F-6BLI | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160F-6BLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16160F-6BL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16200C-6BL | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200C-6BLI | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200C-6BLI-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16200C-6BL-TR | IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16320B-6BL | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320B-6BLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16320B-6BL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16400B-6BLI | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16400B-6BLI-TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA | |
| IS43LR16800F-6BL | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800F-6BLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS43LR16800F-6BL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320B-6BLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320B-6BLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320B-6BLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA | |
| IS46LR16320B-6BLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V• 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
• 933MHz까지의 시스템 주파수에서 고속 데이터 전송 속도
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 8n-비트 전 검색 아키텍처
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연
• 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
• tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길: 4 및 8
• 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서 또는 간격
• BL 스위치
• 자동 자동 갱신 (ASR)
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
• 부분적 배열 자기 갱신
• 비동기 리셋 핀
• TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
• OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
• 다이내믹 ODT (On-Die Termination)
• 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 글쓰기 평준화
• DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
• 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | ISSI |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 60-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
| 공급자 제품 패키지 | 60-TFBGA (8x10) |
| 메모리 용량 | 32M (2M x 16) |
| 메모리 타입 | 모바일 DDR SDRAM |
| 속도 | 166MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 32Mb (2M x 16) 병렬 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM 칩 DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60-핀 TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS
추천된 제품
