IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS43LR16200D-6BL-TR
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 용량 32Mbit
메모리구성 2M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 166 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 5.5 나노 초 전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 60-tfbga 공급자의 장치 패키지 60-TFBGA(8x10)
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Part Number Description
IS43LR16200D-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200D-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400C-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800G-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160G-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320C-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320C-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16160F-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BLI-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16200C-6BL-TR IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16400B-6BLI-TR IC DRAM 64MBIT PARALLEL 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS43LR16800F-6BL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IS46LR16320B-6BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

특징

표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
• 933MHz까지의 시스템 주파수에서 고속 데이터 전송 속도
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 8n-비트 전 검색 아키텍처
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연
• 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
• tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길: 4 및 8
• 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서 또는 간격
• BL 스위치
• 자동 자동 갱신 (ASR)
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
• 부분적 배열 자기 갱신
• 비동기 리셋 핀
• TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
• OCD (오프 칩 드라이버 저항 조정)
• 다이내믹 ODT (On-Die Termination)
• 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• 글쓰기 평준화
• DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
• 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장
패키지 케이스 60-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 70°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 10.7V ~ 1.95V
공급자 제품 패키지 60-TFBGA (8x10)
메모리 용량 32M (2M x 16)
메모리 타입 모바일 DDR SDRAM
속도 166MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 32Mb (2M x 16) 병렬 166MHz 5.5ns 60-TFBGA (8x10)
DRAM 칩 DDR SDRAM 32Mbit 2Mx16 1.8V 60-핀 TFBGA T/R
DRAM 32M, 1.8V, M-DDR 2Mx16, 166Mhz, RoHS