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MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA 마이크로 테크놀로지 인크
| 브랜드 이름 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | MT40A1G4RH-083E :비 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR4 | 메모리 용량 | 4Gbit |
| 메모리구성 | 1G x 4 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 1.2 기가헤르츠 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | - | 전압 - 공급 | 1.14V ~ 1.26V |
| 작동 온도 | 0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 78-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 78-에프비지에이 (9x10.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT40A1G4RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107 IT:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-107:E | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 IT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 V:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 XIT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 AAT:E | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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| MT41K512M8RH-125 V:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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| MT41K512M8RH-125 AAT:E TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E IT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AIT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E AUT:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E IT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-062E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AAT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AIT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E AUT:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-075E:B | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
| MT40A1G4RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA | |
| MT40A512M8RH-083E:B TR | IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
이 1500와트 전압 절감기는 더 큰 패키지에서만 볼 수 있는 전력 처리 기능을 제공합니다.그들은 가장 자주 IEC61000-4-5의 낮은 급증 수준에서 발견되는 인덕티브 스위치 환경 또는 유도 된 2차 번개 효과의 일시적으로부터 보호하기 위해 사용됩니다.매우 빠른 반응 시간으로, 그들은 또한 ESD 또는 EFT로부터의 보호에 효과적입니다.파워미트® 패키지 특징에는 조립 중에 용접류 함락 가능성을 제거하는 전체 금속 바닥이 포함되어 있습니다.그들은 또한 하나의 통합 온도 방출기로 작동하는 독특한 잠금 탭을 제공합니다. 매우 짧은 끝으로,기생성 인덕턴스는 빠른 상승 시간 트랜지이언트에서 전압 오버슈트를 줄이기 위해 최소화됩니다..
특징
• 매우 낮은 프로필 표면 장착 패키지 (1.1mm)• 온도 방출기 잠금 탭
• 자동 삽입 장비와 호환
• 완전 금속 바닥 은 흐름 에 갇히지 않도록 한다
• 전압 범위 5 볼트 에서 170 볼트
• 단방향 또는 양방향으로 사용할 수 있습니다.
최대 등급
• 작동 온도: -55°C ~ +150°C• 보관 온도: -55°C ~ +150°C
1500 와트 최고 펄스 전력 (10 / 1000 μsec)
• 전류 전류: 200 Amps 8.3 ms (동방 전류를 제외)
• 반복 급증률 (공무 요인): 0.01%
• 열 저항: 2.5°C / 와트 접점과 타브 130°C / 와트 접점
• 납 및 장착 온도: 10초 동안 260°C
신청서 / 혜택
• 2차 번개 일시 보호• 인덕티브 스위칭 일시 보호
• 작은 발자국
• 극소 한 전압 과잉 을 위해 매우 낮은 기생 인덕턴스
• 각각 ESD 및 EFT 보호에 대한 IEC61000-4-2 및 IEC61000-4-4 및 여기에 정의 된 급증 수준에 대한 IEC61000-4-5에 적합합니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 |
| 패키지 케이스 | 78-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 10.14V ~ 1.26V |
| 공급자 제품 패키지 | 78-FBGA (9x10.5) |
| 메모리 용량 | 4G (1G x 4) |
| 메모리 타입 | DDR4 SDRAM |
| 속도 | 18n |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR4 메모리 IC 4Gb (1G x 4) 평행 1.2GHz 78-FBGA (9x10.5)
DRAM 칩 DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78핀 FBGA
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