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MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

  • MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc.
브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT47H128M4CF-25E:G
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가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR2 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 128M x 4 기억기접합 대비
클럭 주파수 400 MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 400이지 추신 전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 0' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 60-tfbga 공급자의 장치 패키지 60-에프비지에이 (8x10)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-187E:H IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 L:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47H128M8JN-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E L:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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MT47R128M8CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M4CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47H256M4CF-25:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H256M4CF-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-187E:G IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
MT47R256M4CF-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47R256M4CF-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E IT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-25E AIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8CF-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8JN-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8CF-3 AAT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-187E:M TR IC DRAM 1GBIT PAR 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AIT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 메그 x 4 x 8 은행
MT47H128M8 16 메그 x 8 x 8 뱅크
MT47H64M16 8 메그 x 16 x 8 은행

특징

• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC 표준 1.8V I/O (SSTL_18 호환)
• 차차 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 옵션
• 4n-비트 prefetch 구조
• x8에 대한 복제 출력 스트로브 (RDQS) 옵션
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• WRITE 지연 = READ 지연 - 1 tCK
• 선택 가능한 폭발 길이 (BL): 4 또는 8
• 조절 가능한 데이터 출력 드라이브 강도
• 64ms, 8192 사이클 갱신
• 죽기 직전 종식 (ODT)
• 산업 온도 (IT) 옵션
• 자동차 온도 (AT) 옵션
• RoHS 준수
• JEDEC 클럭 지터 사양을 지원합니다

사양

속성 속성 값
제조업자 마이크론 테크놀로지
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 60-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 85°C (TC)
인터페이스 병렬
전압 공급 1.7V ~ 1.9V
공급자 제품 패키지 60-FBGA (8x10)
메모리 용량 512M (128Mx4)
메모리 타입 DDR2 SDRAM
속도 2.5ns
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - DDR2 메모리 IC 512Mb (128M x 4) 병렬 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
DRAM 칩 DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60핀 FBGA
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC