S29GL064S70TFI040 IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP 인피니언 테크놀로지

일반 설명

S29GL-N 제품군은 110nm MirrorBit 기술을 사용하여 제조된 3.0 볼트 단일 전력 플래시 메모리입니다. S29GL064N은 4개로 구성된 64Mb 장치입니다.194304 단어 또는 8,388S29GL032N은 32MB 장치로 구성되어 있습니다.097152 단어 또는 4,194,304 바이트. 모델 번호에 따라 장치에는 16 비트 넓은 데이터 버스 또는 BYTE# 입력을 사용하여 8 비트 넓은 데이터 버스로 기능 할 수있는 16 비트 넓은 데이터 버스만 있습니다.장치는 호스트 시스템 또는 표준 EPROM 프로그래머에서 프로그램 될 수 있습니다.

특징적 인 특성

건축적 이점
■ 단일 전원 공급
■ 110nm 미러비트 프로세스 기술로 제조
■ 보안 실리콘 부문 지역
- 128 단어/256 바이트 섹터 8 단어/16 바이트 무작위 전자 연쇄 번호를 통해 영구적이고 안전한 식별을 위해 명령 서열을 통해 액세스 할 수 있습니다.
- 공장 또는 고객에 의해 프로그램 및 잠금
■ 유연한 산업 구조
64Mb (일률적인 부문 모델): 128 32 Kword (64 KB) 부문
64 Mb (부트 섹터 모델): 112 32 Kword (64 KB) 섹터 + 8 4Kword (8KB) 부트 섹터
32 Mb (일률적인 부문 모델): 64Kword (64 KB)
32 Mb (부트 섹터 모델): 63개의 32Kword (64 KB) 섹터 + 8개의 4Kword (8KB) 부트 섹터
■ 다재다능성/OTM 제어 강화
모든 입력 레벨 (주소, 제어 및 DQ 입력 레벨) 및 출력은 VIO 입력에 대한 전압에 의해 결정됩니다.
■ JEDEC 표준과의 호환성
단일 전원 플래시와 고도의 의도치 않은 기록 보호를 위해 핀아웃 및 소프트웨어 호환성을 제공합니다.
■ 각 부문별로 10만 번의 삭제 주기가 나타납니다.
■ 20 년 데이터 보존

성능 특성

■ 높은 성능
90 ns 접속 시간
8 단어/16 바이트 페이지 읽기 버퍼
25 ns 페이지 읽기 시간
16 단어 / 32 바이트 기록 버퍼로 여러 단어 업데이트에 대한 전체 프로그래밍 시간을 줄입니다.

■ 낮은 전력 소비

25mA 전형적인 초기 읽기 전류, 1mA 전형적인 페이지 읽기 전류
50 mA 전형적인 삭제/프로그램 전류
1μA 정비 상태의 전형적인 전류
■ 패키지 옵션
48pin TSOP
56핀 TSOP
64볼 강화 BGA
48볼 얇은 피치 BGA

소프트웨어 및 하드웨어 기능

■ 소프트웨어 기능
고급 부문 보호: 지속적인 부문 보호 및 비밀번호 부문 보호
프로그램 중단 및 재개: 프로그래밍 작업이 완료되기 전에 다른 섹터를 읽습니다.
지우기 중지 및 재개: 지우기 작업이 완료되기 전에 다른 섹터를 읽기 / 프로그램
데이터# 투표 & 트글 비트 상태 제공
CFI (공용 플래시 인터페이스) 적합: 호스트 시스템이 여러 플래시 장치를 식별하고 수용 할 수 있습니다.
✅ 잠금 해제 우회 프로그램 명령은 전체 복수 단어 프로그래밍 시간을 줄입니다
■ 하드웨어 특징
WP#/ACC 입력은 시스템 생산 중에 더 큰 처리량을 위해 프로그래밍 시간을 가속화합니다.제 1 또는 마지막 섹터를 보호합니다. 단일 섹터 모델의 섹터 보호 설정과 상관없이
하드웨어 리셋 입력 (RESET#) 리셋 장치
준비/비즈니# 출력 (RY/BY#) 프로그램 또는 지우기 사이클 완료를 감지