MR2A16ACYS35 IC 램 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 에버스핀 테크놀로지스

브랜드 이름 Everspin Technologies Inc.
모델 번호 MR2A16ACYS35
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 RAM
기술 MRAM(자기 저항 RAM) 메모리 용량 4Mbit
메모리구성 256K x 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 35 나노 초
엑세스 시간 35 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 44 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 44-TSOP2
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR256A08BYS35 IC RAM 256KBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08AYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A08BYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16ACYS35 IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AYS35 IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AVYS35 IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16ACYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AVYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR4A08BYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR4A08BCYS35 IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR256A08BYS35R IC RAM 256KBIT PARALLEL 44TSOP2
MR256A08BCYS35R IC RAM 256KBIT PARALLEL 44TSOP2
MR256A08BCYS35 IC RAM 256KBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A08BYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16ACYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AVYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AVYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A08BCYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A08BCYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AYS35R IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16ACYS35R IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AMYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AVYS35R IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR0A16AMYS35 IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AMYS35R IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR1A16AMYS35 IC RAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08AYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16ACYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08ACYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AVYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR4A08BYS35R IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AMYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08AMYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16AMYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A08AMYS35R IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR4A08BCYS35R IC RAM 16MBIT PARALLEL 44TSOP2
MR2A16ATS35C IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
MR2A16ATS35CR IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
MR0A16AYS35R IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

소개

의도된 기능
혈압 모니터 (BPM) 참조 디자인은 동맥 혈압 값을 측정 할 수있는 시스템을 구현하는 방법을 보여줍니다. 시스템은 제어, 데이터 보유, 아날로그 획득,연결 기능, 그리고 사용자와 인터페이스 할 수있는 능력. 이것은 여러 Freescale 장치를 사용하여 달성됩니다.

해결책 의 이점
BPM 참조 설계 요소는 후속 개발을 위해 다음과 같이 참조 될 수 있습니다.
• MC9S08JM60을 브리지로 사용하는 USB 통신
• MC13202 ZigBee 트랜시버를 이용한 2.4 GHz 통신
• MRAM 통신
• 사용자 데이터를 저장하기 위한 MRAM 사용
• MRAM 메모리에 접근하기 위한 MRAM 드라이버
• OLED 디스플레이를 사용하는 사용자 디스플레이
• MPR083 근접 센서를 사용하는 사용자 인터페이스
• 두 개의 타이머 펄스 너비 조절기 (TPM) 모듈을 사용하여 오디오 피드백

사양

속성 속성 값
제조업자 에버스핀
제품 분류 메모리 IC
시리즈 MR2A16A
포장 트레이 대체 포장
장착 방식 SMD/SMT
패키지 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 44-TSOP2 (10.2x18.4)
메모리 용량 4M (256K x 16)
메모리 타입 MRAM (마그네토레시스티브 RAM)
속도 35n
접근 시간 35 ns
형식 메모리 RAM
최대 작동 온도 + 85 C
작동 온도 범위 - 40C
가동 공급 전류 105mA
인터페이스 타입 병렬
조직 256k x 16
데이터 버스 너비 16비트
공급 전압 최대 3.6V
공급 전압-분 3V
패키지 케이스 TSOP-44

기능적 호환성 부품

양식, 패키지, 기능적 호환성 부품

제조자 부분# 설명 제조업자 비교
MR2A16AVYS35
기억력
메모리 회로, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR2A16AVYS35
MR1A16AVYS35
기억력
메모리 회로, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR1A16AVYS35
MR2A16AYS35R
기억력
메모리 회로, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR2A16AYS35R
MR1A16AVYS35R
기억력
메모리 회로, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR1A16AVYS35R
MR1A16AYS35
기억력
메모리 회로, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR1A16AYS35
MR2A16AYS35
기억력
메모리 회로, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR2A16AYS35
MR2A16ACYS35R
기억력
메모리 회로, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR2A16ACYS35R
MR2A16AVYS35R
기억력
메모리 회로, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR2A16AVYS35R
MR1A16ACYS35R
기억력
메모리 회로, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS 컴플라이언트, 플라스틱, TSOP2-44 에버스핀 테크놀로지 MR2A16ACYS35 대 MR1A16ACYS35R

설명

MRAM (마그네토레시티브 램) 메모리 IC 4Mb (256K x 16) 병렬 35ns 44-TSOP2
MRAM 4Mbit 평행 3.3V 44핀 TSOP-II 트레이
NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 평행 MRAM