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W949D2DBJX5I IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 윈본드 전자제품
| 브랜드 이름 | Winbond Electronics |
|---|---|
| 모델 번호 | W949D2DBJX5I |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - 모바일 LPDDR | 메모리 용량 | 512Mbit |
| 메모리구성 | 16M Ｘ 32 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 5 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 90-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 90-vfbga (8x13) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W949D2DBJX5I | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX7E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5E TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W949D2DBJX5E | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX7E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W989D2DBJX6I TR | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W989D2DBJX6I | IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9864G2JB-6 TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9864G2JB-6I TR | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W94AD2KBJX5E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W94AD2KBJX5I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W9812G2KB-6 TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W94AD2KBJX5E | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W94AD2KBJX5I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA | |
| W9864G2JB-6 | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9864G2JB-6I | IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6 | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9812G2KB-6I | IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA | |
| W947D2HBJX5E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX5I | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5I | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6E | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6I | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6I | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX7E | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9825G2JB-6 | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-6I | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-75 | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W947D2HBJX5E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W947D2HBJX5I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX5I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W948D2FBJX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W9825G2JB-6 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W9825G2JB-75 TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA | |
| W987D2HBJX6E TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W987D2HBJX6I TR | IC DRAM 128MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX6I TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA | |
| W988D2FBJX7E TR | IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
W9425G6DH는 CMOS 듀얼 데이터 레이트 동기 동적 무작위 액세스 메모리 (DDR SDRAM) 로 구성되어 있으며,194파이프라인 아키텍처와 0.11μm 프로세스 기술을 사용하여 W9425G6DH는 초당 최대 500M 단어 (-4) 의 데이터 대역폭을 제공합니다.개인용 컴퓨터 산업 표준을 완전히 준수하기, W9425G6DH는 -4, -5, -6 및 -75의 네 가지 속도 등급으로 분류됩니다. -4은 DDR500/CL3 사양에 적합합니다. -5은 DDR400/CL3 사양에 적합합니다.-6은 DDR333/CL2에 적합합니다.5 사양 (-40°C ~ 85°C를 지원할 수 있는 보장된 -6I 등급) -75은 DDR266/CL2 사양 (-40°C ~ 85°C를 지원할 수 있는 보장된 75I 등급) 에 적합합니다.
특징
• 2.5V ± 0.2V 전원 공급 장치 DDR266/DDR333• DDR400/DDR500용 2.6V ±0.1V 전원 공급
• 최대 250MHz 시계 주파수
• 이중 데이터 레이트 아키텍처, 시계 주기로 두 개의 데이터 전송
• 차차 시계 입력 (CLK 및 CLK)
• DQS는 읽기용 데이터와 가장자리에 정렬되어 있으며, 쓰기용 데이터와 중앙에 정렬되어 있습니다.
• CAS 지연: 2, 2.5 및 3
• 폭발 길이: 2, 4 및 8
• 자동 갱신 및 자기 갱신
• 전 충전 된 전원 종료 및 활성 전원 종료
• 데이터 마스크를 작성
• Latency = 1을 적어
• 7. 8μS 갱신 간격 (8K / 64 mS 갱신)
• 최대 급격한 갱신 주기는: 8
인터페이스: SSTL_2
• TSOP II 66 핀, 400 밀리, 0.65mm 핀 피치로 포장되어, Pb가 사용되지 않고 RoHS를 준수합니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 윈본드 전자제품 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 90-TFBGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
| 공급자 제품 패키지 | 90-VFBGA (8x13) |
| 메모리 용량 | 512M (16M x 32) |
| 메모리 타입 | 모바일 LPDDR SDRAM |
| 속도 | 200MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - 모바일 LPDDR 메모리 IC 512Mb (16M x 32) 병렬 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
DRAM 칩 모바일 LPDDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-핀 VFBGA
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