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MT41K256M8DA-125:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR3L | 메모리 용량 | 2Gbit |
메모리구성 | 256M x 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 800 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 13.75 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
작동 온도 | 0' C ~ 95' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 78-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 78-에프비지에이 (8x10.5) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT41K256M8DA-125:K | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
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MT41K256M8DA-125 AUT:K | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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MT41K512M8DA-107 V:P | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K1G8RKB-107:P | IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8DA-107:P | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K256M8DA-125:M | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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MT41J256M8DA-093:K | IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K256M8DA-107:K | IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K256M8DA-125 IT:K | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA | |
MT41K128M8DA-107 IT:J | IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA | |
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MT41K1G4DA-107:P | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
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MT41K1G8RKB-107:N TR | IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8DA-093 IT:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K128M8DA-107 AIT:J | IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA | |
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MT41K256M8DA-107 IT:K | IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K256M8DA-107 AIT:K | IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA | |
MT41K512M8DA-125:P | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA | |
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MT41K256M8DA-107 IT:K TR | IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA | |
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MT41K1G4DA-107:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
[MCL]
브로드밴드 CW TWT LAB 증폭기
레이더, EMC 및 EW 테스트를 위해
MT4100 광대역 증폭기는 현장에서 입증 된 MT4000 TWT 아키텍처를 활용합니다.
모듈형 디자인, 콤팩트하고 효율적인 패키지, MT4100는 비교할 수 없는 신뢰성을 보여줄 것입니다.
특징:
광범위한 진단 능력첨단 열 설계
콤팩트 크기
튜브 냉각
조용 한 작전
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 78-TFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
공급자 제품 패키지 | 78-FBGA (8x10.5) |
메모리 용량 | 2G (256M x 8) |
메모리 타입 | DDR3L SDRAM |
속도 | 800MHz |
형식 메모리 | RAM |
Mfr | 마이크론 테크놀로지 |
패키지 | 트레이 |
제품 상태 | 액티브 |
메모리 타입 | 휘발성 |
메모리 형식 | DRAM |
기술 | SDRAM - DDR3L |
메모리 크기 | 2GB (256M x 8) |
메모리 인터페이스 | 병렬 |
시계 주파수 | 800 MHz |
글쓰기 사이클 시간 단어 페이지 | - |
접근 시간 | 13.75 ns |
전압 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
장착형 | 표면 마운트 |
패키지 케이스 | 78-TFBGA |
기본 제품 번호 | MT41K256M8 |
기능적 호환성 부품
양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
H5TQ2G83CFR-H9C 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83CFR-H9C |
MT41K256M8DA-125IT:K 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 리드 무료, FBGA-78 | 미크론 기술 | MT41K256M8DA-125:K 대 MT41K256M8DA-125IT:K |
H5TQ2G83FFR-PBC 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83FFR-PBC |
H5TQ2G83CFR-PBC 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83CFR-PBC |
H5TC2G83CFR-PBA 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 20ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TC2G83CFR-PBA |
MT41K256M8DA-125:M 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 리드 무료, FBGA-78 | 미크론 기술 | MT41K256M8DA-125:K 대 MT41K256M8DA-125:M |
MT41K256M8DA-107:K 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.50 MM, 1.20 MM HEIGHT, 리드 무료, FBGA-78 | 미크론 기술 | MT41K256M8DA-125:K 대 MT41K256M8DA-107:K |
H5TQ2G83DFR-RDC 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83DFR-RDC |
H5TQ2G83EFR-PBC 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83EFR-PBC |
H5TQ2G83DFR-PBC 기억력 |
DDR DRAM, 256MX8, 0.225ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE 및 ROHS 컴플라이언트, FBGA-78 | SK 하이닉스 | MT41K256M8DA-125:K 대 H5TQ2G83DFR-PBC |
설명
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 2Gb (256M x 8) 평행 800MHz 13.75ns 78-FBGA (8x10.5)
DRAM 칩 DDR3L SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.35V 78핀 FBGA
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