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MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 브랜드 이름 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | MT49H16M18SJ-25:B TR |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | DRAM | 메모리 용량 | 288Mbit |
| 메모리구성 | 16M×18 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 400 MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 144-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 144-FBGA(18.5x11) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT49H16M18SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-18 IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-5 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-25 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M16FM-5 TR | IC DRAM 256MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36BM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M9FM-33 TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18SJ-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36FM-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA | |
| MT49H8M36SJ-5:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H8M36SJ-TI:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
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| MT49H16M36SJ-25:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18SJ-25 IT:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M9SJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
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| MT49H32M18SJ-25E:B TR | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
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| MT49H8M36SJ-25E:B | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA | |
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| MT49H16M36SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18SJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H32M18CSJ-18:B | IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA | |
| MT49H16M18CSJ-25:B TR | IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. RLDRAM는 행/줄기 주소 멀티플렉싱을 요구하지 않으며 빠른 무작위 액세스 및 고속 대역폭을 위해 최적화되어 있습니다.RLDRAM은 통신 시스템에서 전송 또는 수신 버퍼와 같은 통신 데이터 저장장치뿐만 아니라 많은 양의 메모리를 필요로하는 데이터 또는 명령 캐시 응용 프로그램에 설계되었습니다.
특징
• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ I/O• 최대 데이터 출력 대역폭을 위한 순환 은행 주소
• 복합화 되지 않은 주소
• 2개의 (2비트) 중간에 끊이지 않는 연속 폭발
prefetch) 와 4개의 (4비트 prefetch) DDR
• 600 Mb/s/p 데이터 전송 속도 목표
• 5-8의 프로그래밍 가능한 읽기 지연 (RL)
• 데이터 유효 신호 (DVLD) 는 읽기 데이터가 가능하면 활성화됩니다.
• 데이터 마스크 신호 (DM0 / DM1) 를 먼저 마스크로 표시하고
기록 데이터 파업의 두 번째 부분
• IEEE 1149.1을 준수하는 JTAG 경계 스캔
• 사이비-HSTL 1.8V I/O 공급
• 내부 자동 전 충전
• 갱신 요구 사항: 100 °C 접점에서 32ms
온도 (8K 각 은행에 대한 갱신, 64K 갱신
명령은 총 32ms마다 발송되어야 합니다)
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 144-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 공급자 제품 패키지 | 144-μBGA (18.5x11) |
| 메모리 용량 | 288M (16M x 18) |
| 메모리 타입 | RLDRAM 2 |
| 속도 | 2.5ns |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
DRAM 메모리 IC 288Mb (16M x 18) 병렬 400MHz 20ns 144-FBGA (18.5x11)
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