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AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II 얼라이언스 메모리, 인크

  • AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II Alliance Memory, Inc.
브랜드 이름 Alliance Memory, Inc.
모델 번호 AS4C32M16D1A-5TIN
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중
제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 32M Ｘ 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 200MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 700이지 추신 전압 - 공급 2.3V ~ 2.7V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 66 TSSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 66-TSOP II
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Part Number Description
AS4C32M16D1A-5TIN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C32M16D1A-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C16M16D1A-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TINTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1A-5TIN IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C16M16D1A-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1A-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C16M16D1A-5TIN IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M8D1-5TCN IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C32M16D1A-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C16M16D1-5TCNTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C16M16D1-5TINTR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TCNTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C32M16D1-5TINTR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
AS4C4M16D1-5TCNTR IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
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AS4C64M16D1A-6TCNTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C64M16D1A-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TIN IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
AS4C128M8D1-6TINTR IC DRAM 1GBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
제품 설명

사양

속성 속성 값
제조업자 얼라이언스 메모리, 인크
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이 대체 포장
패키지 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.3V ~ 2.7V
공급자 제품 패키지 66-TSOP II
메모리 용량 512M (32M x 16)
메모리 타입 DDR SDRAM
속도 200MHz
형식 메모리 RAM
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC