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MT48LC2M32B2P-6:G TR IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 64Mbit |
메모리구성 | 2M×32 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 167 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 12 나노 초 |
엑세스 시간 | 5.5 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 86 TFSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 86-TSOP II |
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Part Number | Description | |
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MT48LC2M32B2P-6:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-7 IT:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-7:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2TG-6:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
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MT48LC2M32B2P-55:G TR | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-5:G | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
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MT48LC2M32B2P-6:G | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
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MT48LC2M32B2P-5:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-6A AIT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-6A IT:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC2M32B2P-6A:J | IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II | |
MT48LC4M32B2P-6A AIT:L | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II | |
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MT48LC4M32B2P-6A XIT:L TR | IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
64Mb SDRAM는 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리, 67개를 포함합니다.108,864-비트. 그것은 내부적으로 동기 인터페이스 (모든 신호는 시계 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.) 와 함께 쿼드 은행 DRAM으로 구성됩니다.777,216비트 은행은 2,048 행 × 256 열 × 32비트로 구성되어 있습니다.SDRAM에 대한 읽기 및 쓰기 액세스는 번스트 지향적입니다. 액세스 작업은 선택한 위치에서 시작하여 프로그래밍 된 순서에서 프로그래밍 된 위치의 숫자를 계속합니다.접근은 ACTIVE 명령어를 등록하는 것으로 시작됩니다., 다음으로 READ 또는 WRITE 명령어가 따르고 있습니다. ACTIVE 명령어와 일치하는 주소 비트는 액세스 할 은행과 행을 선택하는 데 사용됩니다 (BA0, BA1,A0-A10 행을 선택). READ 또는 WRITE 명령과 일치하는 주소 비트는 펄스 액세스을위한 시작 열 위치를 선택하는 데 사용됩니다.
특징
• PC100 기능• 완전히 동기화; 모든 신호는 시스템 시계의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.
• 내부 파이프 라인 작업; 각 시계 주기로 열 주소를 변경할 수 있습니다.
• 숨겨진 행 접근/예전 충전용 내부 은행
• 프로그램 할 수 있는 래스트 길이: 1, 2, 4, 8, 또는 전체 페이지
• 자동 전 충전, 동시 자동 전 충전 및 자동 갱신 모드를 포함합니다.
• 자동 갱신 모드
• 64ms, 4,096 사이클 갱신 (15.6μs/줄)
• LVTTL 호환 입력 및 출력
• 단일 +3.3V ±0.3V 전원 공급
• 1, 2 및 3의 CAS 지연을 지원합니다.
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | |
패키지 케이스 | 86-TFSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 86-TSOP II |
메모리 용량 | 64M (2M x 32) |
메모리 타입 | SDRAM |
속도 | 167MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 64Mb (2M x 32) 병렬 167MHz 5.5ns 86-TSOP II
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