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70V657S10DRG IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP 레네사스 전자제품 미국
| 브랜드 이름 | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | 70V657S10DRG |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 듀얼 포트, 비동기식 | 메모리 용량 | 1.125Mbit |
| 메모리구성 | 32K x 36 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 10 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 10 나노 초 | 전압 - 공급 | 3.15V ~ 3.45V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 208-BFQFP | 공급자의 장치 패키지 | 208-pqfp (28x28) |
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 70V657S10DRG | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRI | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70T651S10DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T651S15DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70T659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S4DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S5DRI | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3569S6DR | IC SRAM 576KBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3579S4DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S5DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3579S6DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S166DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S133DRI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S12DRI | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S15DR | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V658S10DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S12DRI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V658S15DR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S10DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S12DRGI8 | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V659S15DR | IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S133DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DR | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7519S166DRI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V7599S133DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V7599S166DR | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRG8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3589S133DRGI8 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP | |
| 70V3599S133DRGI | IC SRAM 4.5MBIT PAR 208PQFP | |
| 70V657S10DRG8 | IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT70V659/58/57은 고속 128/64/32K x 36 아시크론 듀얼 포트 정적 RAM이다.IDT70V659/58/57는 독립적인 4/2/1Mbit 듀얼 포트 RAM 또는 72 비트 이상의 워드 시스템을 위한 MASTER/SLAVE 듀얼 포트 RAM 조합으로 사용하도록 설계되었습니다.. IDT MASTERSLAVE 듀얼 포트 RAM 접근법을 72비트 또는 더 넓은 메모리 시스템 응용 프로그램에서 사용하면 추가적인 분리 논리가 필요하지 않고 전체 속도, 오류 없는 작동이 발생합니다.
특징
◆ 동일한 메모리 위치 에서 동시에 접근 할 수 있는 실제적 인 듀얼 포트 메모리 셀◆ 고속 접근
상업용: 10/12/15 ns (최고)
산업용: 12/15ns (최대)
◆ 듀얼 칩을 사용 하 여 외부 논리 없이 깊이 확장을 허용
◆ IDT70V659/58/57 는 하나 이상의 장치 를 캐스캐딩 할 때 마스터/슬래브 선택 을 사용하여 데이터 버스 너비 를 72 비트 이상 으로 쉽게 확장 합니다.
◆ M/S = BUSY 출력 플래그를 위한 HIV 마스터에서, M/S = VIL를 위한 BUSY 입력
◆ 바쁘고 끊어지는 깃발
◆ 칩 내 포트 중재 논리
◆ 포트 간 시마포어 신호 전달 을 위한 완전 한 칩 상용 하드웨어 지원
◆ 어느 항구 에서든 완전 한 비동시 작동
◆ 멀티플렉스 버스와 버스 일치 호환성을 위해 별도의 바이트 제어
◆ IEEE 1149을 준수하는 JTAG 기능을 지원합니다.1
◆ LVTTL와 호환되는 단일 3.3V (± 150mV) 전원 공급
◆ 각 포트에서 I/O 및 제어 신호를 위한 LVTTL 호환, 선택 가능한 3.3V (±150mV) /2.5V (±100mV) 전원 공급
◆ 208 핀 의 플라스틱 쿼드 플래트팩, 208 볼 의 얇은 피치 볼 그리드 배열, 그리고 256 볼 의 볼 그리드 배열 으로 제공 됩니다
◆ 산업용 온도 범위 (~40°C ~ +85°C) 는 선택 된 속도 에 사용 된다
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 통합 회로 시스템 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | 70V657 |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 트레이 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 208-BFQFP |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 30.15V ~ 3.45V |
| 공급자 제품 패키지 | 208-PQFP (28x28) |
| 메모리 용량 | 1.125M (32K x 36) |
| 메모리 타입 | SRAM - 이중 포트, 비동기 |
| 속도 | 10n |
| 접근 시간 | 10 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 32k x 36 |
| 공급 전류 최대 | 500mA |
| 부분-#-위명 | 70V657 IDT70V657S10DRG |
| 공급 전압 최대 | 3.45V |
| 공급 전압-분 | 3.15V |
| 패키지 케이스 | PQFP-208 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| IDT70V657S10BFG 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GREEN, FPBGA-208 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 IDT70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG 기억력 |
CABGA-208, 트레이 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 70V657S10BFG |
| 70V657S10BFG8 기억력 |
CABGA-208, 릴 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 70V657S10BFG8 |
| IDT70V657S10BFG8 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 IDT70V657S10BFG8 |
| 70V657S10BC 기억력 |
CABGA-256, 트레이 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 70V657S10BC |
| IDT70V657S10DRG 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 IDT70V657S10DRG |
| IDT70V657S10BCG 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 IDT70V657S10BCG |
| 70V657S10BCG 기억력 |
CABGA-256, 트레이 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 70V657S10BCG |
| IDT70V657S10BC 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 IDT70V657S10BC |
| 70V657S10BCG8 기억력 |
듀얼 포트 SRAM, 32KX36, 10ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 | 통합 장치 기술 Inc | 70V657S10DRG 대 70V657S10BCG8 |
설명
SRAM - 듀얼 포트, 비동기 메모리 IC 1.125Mb (32K x 36) 평행 10ns 208-PQFP (28x28)
SRAM 32K X 36 ASYNC DP RAM
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