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CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA 사이프러스 반도체

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 듀얼 포트, 동기식 | 메모리 용량 | 9Mbit |
메모리구성 | 256K X 36 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 200MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 3.3 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 256-LBGA | 공급자의 장치 패키지 | 256-에프비지에이 (17x17) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
CYD09S36V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S36V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBXC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S18V18-167BBAXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S18V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA | |
CYD09S36V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S36V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S36V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S72V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-200BBXI | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD09S72V18-250BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S72V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-200BBXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S72V18-250BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-133BBXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD36S36V18-133BBXI | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD36S36V18-167BBXC | IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-167BBXI | IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA | |
CYD36S36V18-200BBXC | IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD09S36V18-167BBXC | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYDD09S36V18-167BBXI | IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYDD09S36V18-200BBXC | IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD18S72V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S72V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S72V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYDD18S36V18-167BBXC | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S36V18-167BBXI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYDD18S36V18-200BBXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD18S18V18-200BBAXC | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBC | IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA | |
CYD04S18V-167BBC | IC SRAM 4.5MBIT PAR 256FBGA | |
CYD18S36V18-200BBAXI | IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36V18-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD18S36V18-167BBAI | IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA | |
CYD02S36V18-200BBXC | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA | |
CYD02S36VA-167BBXC | IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
축성 납 정밀 저항
홀코 제품군 정밀 금속 필름 저항기는 산업 및 군사용 용품에 대한 경제적인 가격 구성 요소의 요구 사항을 충족시킵니다.제조 시설은 금속 합금 필름의 세라믹 기판에 스프터 코팅을 포함하여 엄격하게 통제 된 생산 프로세스를 사용합니다., 레이저 나선형을 사용하여 근 tolerances 및 높은 안정성 저항을 달성합니다. 환경 및 기계적 보호를 위해 에포시 코팅이 적용됩니다.상업적으로 시리즈는 두 개의 케이스 크기로 제공됩니다., 1 오hm에서 4M 오hm까지, 0.05%에서 1%까지의 허용도와 5ppm/°C에서 100ppm/°C까지의 TCRs. BS CECC 40101 004, 030 및 804에 대한 출시와 함께 제공되는 H8은 유통을 통해 제공됩니다.
주요 특징
■ 초정밀 - 0.05%까지■ 2ppm/°C까지 사용가능한 일치된 세트
■ 높은 펄스 를 견딜 수 있다
■ 낮은 반응성
■ 낮은 TCR - 5ppm/°C까지
■ 장기적 안정성
■ 70°C 에서 최대 1 와트
■ CECC 40101 004, 030 및 804에 공개
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | CYD09S36V18 |
종류 | 동기화 |
포장 | 트레이 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 256-LBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
공급자 제품 패키지 | 256-FBGA (17x17) |
메모리 용량 | 9M (256K x 36) |
메모리 타입 | SRAM - 두 개의 포트, 동기화 |
속도 | 200MHz |
데이터 비율 | SDR |
접근 시간 | 3.3 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 85 C |
작동 온도 범위 | - 40C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 256k x 36 |
공급 전류 최대 | 670mA |
공급 전압 최대 | 1.9V |
공급 전압-분 | 1.7V |
패키지 케이스 | FBGA-256 |
최대 시계 주파수 | 200MHz |
설명
SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 9Mb (256K x 36) 병행 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAM 칩 동기화 듀얼 1.8V 9M-비트 256K x 36 9ns/5ns 256-핀 FBGA 트레이
SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz 동기 SRAM
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