CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA 사이프러스 반도체

브랜드 이름 Cypress Semiconductor Corp
모델 번호 CYD09S36V18-200BBXI
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 SRAM
기술 SRAM - 듀얼 포트, 동기식 메모리 용량 9Mbit
메모리구성 256K X 36 기억기접합 대비
클럭 주파수 200MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 3.3 나노 초 전압 - 공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 256-LBGA 공급자의 장치 패키지 256-에프비지에이 (17x17)
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Part Number Description
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S36V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36VA-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36VA-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-200BBXC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S18V18-167BBAXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S18V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA
CYD09S36V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S36V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S36V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S72V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-200BBXI IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD09S72V18-250BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD18S72V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-200BBXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S72V18-250BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-133BBXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD36S36V18-133BBXI IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD36S36V18-167BBXC IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-167BBXI IC SRAM 36MBIT PAR 256FBGA
CYD36S36V18-200BBXC IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD09S36V18-167BBXC IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYDD09S36V18-167BBXI IC SRAM 9MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYDD09S36V18-200BBXC IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD18S72V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S72V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S72V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYDD18S36V18-167BBXC IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S36V18-167BBXI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYDD18S36V18-200BBXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD18S18V18-200BBAXC IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBC IC SRAM 2MBIT 200MHZ 256FBGA
CYD04S18V-167BBC IC SRAM 4.5MBIT PAR 256FBGA
CYD18S36V18-200BBAXI IC SRAM 18MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36V18-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD18S36V18-167BBAI IC SRAM 18MBIT PAR 256FBGA
CYD02S36VA-167BBC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
CYD02S36V18-200BBXC IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256FBGA
CYD02S36VA-167BBXC IC SRAM 2MBIT PAR 167MHZ 256FBGA
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제품 설명

제품 세부 정보

축성 납 정밀 저항

홀코 제품군 정밀 금속 필름 저항기는 산업 및 군사용 용품에 대한 경제적인 가격 구성 요소의 요구 사항을 충족시킵니다.제조 시설은 금속 합금 필름의 세라믹 기판에 스프터 코팅을 포함하여 엄격하게 통제 된 생산 프로세스를 사용합니다., 레이저 나선형을 사용하여 근 tolerances 및 높은 안정성 저항을 달성합니다. 환경 및 기계적 보호를 위해 에포시 코팅이 적용됩니다.상업적으로 시리즈는 두 개의 케이스 크기로 제공됩니다., 1 오hm에서 4M 오hm까지, 0.05%에서 1%까지의 허용도와 5ppm/°C에서 100ppm/°C까지의 TCRs. BS CECC 40101 004, 030 및 804에 대한 출시와 함께 제공되는 H8은 유통을 통해 제공됩니다.

주요 특징

■ 초정밀 - 0.05%까지
■ 2ppm/°C까지 사용가능한 일치된 세트
■ 높은 펄스 를 견딜 수 있다
■ 낮은 반응성
■ 낮은 TCR - 5ppm/°C까지
■ 장기적 안정성
■ 70°C 에서 최대 1 와트
■ CECC 40101 004, 030 및 804에 공개

사양

속성 속성 값
제조업자 사이프러스 반도체
제품 분류 메모리 IC
시리즈 CYD09S36V18
종류 동기화
포장 트레이
장착 방식 SMD/SMT
패키지 케이스 256-LBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
공급자 제품 패키지 256-FBGA (17x17)
메모리 용량 9M (256K x 36)
메모리 타입 SRAM - 두 개의 포트, 동기화
속도 200MHz
데이터 비율 SDR
접근 시간 3.3 ns
형식 메모리 RAM
최대 작동 온도 + 85 C
작동 온도 범위 - 40C
인터페이스 타입 병렬
조직 256k x 36
공급 전류 최대 670mA
공급 전압 최대 1.9V
공급 전압-분 1.7V
패키지 케이스 FBGA-256
최대 시계 주파수 200MHz

설명

SRAM - 듀얼 포트, 동기 메모리 IC 9Mb (256K x 36) 병행 200MHz 3.3ns 256-FBGA (17x17)
SRAM 칩 동기화 듀얼 1.8V 9M-비트 256K x 36 9ns/5ns 256-핀 FBGA 트레이
SRAM 9MB (256Kx36) 1.8v 200MHz 동기 SRAM