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MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 브랜드 이름 | Micron Technology Inc. |
|---|---|
| 모델 번호 | MT47H128M16RT-25E :Ｃ TR |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR2 | 메모리 용량 | 2Gbit |
| 메모리구성 | 128M Ｘ 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 400 MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 400이지 추신 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0' Ｃ ~ 85' Ｃ (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 84-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 84-에프비지에이 (9x12.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| MT47H128M16RT-25E:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E IT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E XIT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| IS43DR16640B-25DBLI | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBL | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBL-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| IS43DR16640B-25DBLI-TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:E TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 L:G | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 L:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:G TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-3:F | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-3:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-187E:G | IC DRAM 512MBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E AAT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E L:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-187E:H | IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
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| MT47R64M16HR-25:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47R64M16HR-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47R64M16HR-25E:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E IT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 AAT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3 IT:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-3:H TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16PK-25E IT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HR-25E AIT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E IT:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E:G | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HW-3 IT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HW-3:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H32M16HW-25E AAT:G TR | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AAT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E XIT:C | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H64M16HR-25E XIT:H | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA | |
| MT47H128M16RT-25E AAT:C TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 메그 x 4 x 8 은행MT47H128M8 16 메그 x 8 x 8 뱅크
MT47H64M16 8 메그 x 16 x 8 은행
특징
• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1VJEDEC 표준 1.8V I/O (SSTL_18 호환)
• 차차 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 옵션
• 4n-비트 prefetch 구조
• x8에 대한 복제 출력 스트로브 (RDQS) 옵션
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• WRITE 지연 = READ 지연 - 1 tCK
• 선택 가능한 폭발 길이 (BL): 4 또는 8
• 조절 가능한 데이터 출력 드라이브 강도
• 64ms, 8192 사이클 갱신
• 죽기 직전 종식 (ODT)
• 산업 온도 (IT) 옵션
• 자동차 온도 (AT) 옵션
• RoHS 준수
• JEDEC 클럭 지터 사양을 지원합니다
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 84-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 85°C (TC) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 공급자 제품 패키지 | 84-FBGA (9x12.5) |
| 메모리 용량 | 2G (128M x 16) |
| 메모리 타입 | DDR2 SDRAM |
| 속도 | 2.5ns |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR2 메모리 IC 2Gb (128M x 16) 병렬 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)
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