MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT47H128M16RT-25E :C TR
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가격 Based on current price
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR2 메모리 용량 2Gbit
메모리구성 128M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 400 MHz 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 400이지 추신 전압 - 공급 1.7V ~ 1.9V
작동 온도 0' C ~ 85' C (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 84-tfbga 공급자의 장치 패키지 84-에프비지에이 (9x12.5)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT47H128M16RT-25E:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H128M16RT-25E XIT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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IS43DR16640B-25DBL-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
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MT47H64M16HR-25E IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H64M16HR-3 IT:G TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47R64M16HR-25E:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
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MT47H64M16HR-25:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3 IT:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-3:H TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16PK-25E IT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HR-25E AIT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E IT:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3 IT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HW-3:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E XIT:C IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H64M16HR-25E XIT:H IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

DDR2 SDRAM

MT47H256M4 32 메그 x 4 x 8 은행
MT47H128M8 16 메그 x 8 x 8 뱅크
MT47H64M16 8 메그 x 16 x 8 은행

특징

• VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC 표준 1.8V I/O (SSTL_18 호환)
• 차차 데이터 스트로브 (DQS, DQS#) 옵션
• 4n-비트 prefetch 구조
• x8에 대한 복제 출력 스트로브 (RDQS) 옵션
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 조화시키는 DLL
• 동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• WRITE 지연 = READ 지연 - 1 tCK
• 선택 가능한 폭발 길이 (BL): 4 또는 8
• 조절 가능한 데이터 출력 드라이브 강도
• 64ms, 8192 사이클 갱신
• 죽기 직전 종식 (ODT)
• 산업 온도 (IT) 옵션
• 자동차 온도 (AT) 옵션
• RoHS 준수
• JEDEC 클럭 지터 사양을 지원합니다

사양

속성속성 값
제조업자마이크론 테크놀로지
제품 분류메모리 IC
시리즈-
포장테이프 & 롤 (TR) 대체 포장
패키지 케이스84-TFBGA
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
인터페이스병렬
전압 공급1.7V ~ 1.9V
공급자 제품 패키지84-FBGA (9x12.5)
메모리 용량2G (128M x 16)
메모리 타입DDR2 SDRAM
속도2.5ns
형식 메모리RAM

설명

SDRAM - DDR2 메모리 IC 2Gb (128M x 16) 병렬 400MHz 400ps 84-FBGA (9x12.5)