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IS42S16100H-7TLI-TR IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 16Mbit |
메모리구성 | 1M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 143 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 5.5 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 50-TSOP(0.400", 10.16mm 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 50-TSOP II |
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Part Number | Description | |
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IS42S16100H-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100H-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS45S16100H-7TLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA2-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100H-7TLA2 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-6T-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-7TI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100C1-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100C1-7TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42VS16100C1-10TI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42VS16100C1-10TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-5TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100E-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100F-7TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100F-5TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-5TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TL | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-6TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS42S16100F-7TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS42S16100F-7TL-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100E-7TLA1 | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
IS45S16100E-7TLA1-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
설명 ISSI 즈 16Mb 동기 DRAM IS42S16100는 향상된 성능을 위해 524,288 단어 x 16 비트 x 2 뱅크로 구성되어 있습니다.동기 DRAM은 파이프라인 구조를 사용하여 고속 데이터 전송을 달성합니다.모든 입력 및 출력 신호는 시계 입력의 상승 가장자리에 참조.
특징
• 시계 주파수: 166, 143, 100 MHz• 완전 동기화; 모든 신호는 긍정적 인 시계 가장자리에 참조됩니다.
• 두 개의 은행이 동시에 독립적으로 운영될 수 있습니다
• A11 (은행 선택) 에 의해 통제되는 이중 내부 은행
• 단일 3.3V 전원 공급
• LVTTL 인터페이스
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길이 (1, 2, 4, 8, 전체 페이지)
• 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 / 간격
• 자동 갱신, 자기 갱신
• 128ms 마다 4096번 갱신 주기로
• 각 시계 사이클의 무작위 열 주소
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 시간 (2, 3 시간)
• 퍼스트 읽기 / 쓰기 및 퍼스트 읽기 / 단일 쓰기 작업 기능
• 폭발 중지 및 전 충전 명령에 의해 폭발 종료
• LDQM 및 UDQM에 의해 제어 바이트
• 패키지 400 밀리 50 핀 TSOP II
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 대체 포장 |
패키지 케이스 | 50-TSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 50-TSOP II |
메모리 용량 | 16M (1M x 16) |
메모리 타입 | SDRAM |
속도 | 143MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM 메모리 IC 16Mb (1M x 16) 병렬 143MHz 5.5ns 50-TSOP II
16M, 3.3V, SDRAM, 1MX16, 143MH
DRAM 16M, 3.3V, SDRAM 1Mx16, 143Mhz, RoHS
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