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71V424S10YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 브랜드 이름 | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | 71V424S10YG8 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 4Mbit |
| 메모리구성 | 512K Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 10 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 10 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 36 BSOJ (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 36-SOJ |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V424S10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| 71V424S15YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61C5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128EDBLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV5128BLL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61C5128AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10KLI-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV5128AL-10KLI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61WV2568EDBLL-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV2568L-10KLI | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IS61LV2568L-10KLI-TR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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| IS61LV5128AL-10K-TR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
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| 71V424S15YGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15YI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424S15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ | |
| IDT71V424YS12Y | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT71V424는 4번입니다.194,304비트 고속 정적 RAM 512K x 8로 조직. 그것은 IDT의 고성능, 높은 신뢰성 CMOS 기술을 사용하여 제조됩니다. 이 최첨단 기술,혁신적인 회로 설계 기술과 결합, 고속 메모리 요구에 대한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.
특징
◆512K x 8 첨단 고속 CMOS 정적 RAM◆소음 감축을 위한 JEDEC 센터 파워 / GND 피노트
◆평등한 접근과 자전거 시간
상업 및 산업: 10/12/15ns
◆일용 3.3V 전원 공급
◆1개의 칩 선택 플러스 1개의 출력 활성화 핀
◆동방향 데이터 입력 및 출력은 직접 TTL 호환
◆칩 선택 해제
◆36핀 400밀리 플라스틱 SOJ 패키지와 44핀 400밀리 TSOP로 제공됩니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 통합 회로 시스템 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | 71V424 |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm 너비) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 36-SOJ |
| 메모리 용량 | 4M (512K x 8) |
| 메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
| 속도 | 10n |
| 접근 시간 | 10 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 512k x 8 |
| 공급 전류 최대 | 180mA |
| 부분-#-위명 | 71V424 IDT71V424S10YG8 |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 3V |
| 패키지 케이스 | SOJ-36 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| K6R4008V1B-JC10 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 | 삼성 반도체 | 71V424S10YG8 대 K6R4008V1B-JC10 |
| 71V424L10YGI8 기억력 |
SOJ-36, 스릴 | 통합 장치 기술 Inc | 71V424S10YG8 대 71V424L10YGI8 |
| AS7C34096A-10JCN 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 리드 무료, SOJ-36 | 얼라이언스 메모리 | 71V424S10YG8 대 AS7C34096A-10JCN |
| 71V424S10YGI8 기억력 |
SOJ-36, 스릴 | 통합 장치 기술 Inc | 71V424S10YG8 대 71V424S10YGI8 |
| IS61LV5128AL-10KLI 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 납 없는, PLASTIC, MS-027, SOJ-36 | 통합 실리콘 솔루션 | 71V424S10YG8 대 IS61LV5128AL-10KLI |
| AS7C34096A-10JIN 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, 리드 무료, SOJ-36 | 얼라이언스 메모리 | 71V424S10YG8 대 AS7C34096A-10JIN |
| AS7C34096A-10JI 기억력 |
표준 SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36 | 얼라이언스 메모리 | 71V424S10YG8 대 AS7C34096A-10JI |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mb (512K x 8) 평행 10ns 36-SOJ
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONUS 3.3V CMOS SRAM
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