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71V416S12BEI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA 레네사스 전자제품 미국
| 브랜드 이름 | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | 71V416S12BEI |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 4Mbit |
| 메모리구성 | 256K x 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 12 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 12ns | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 48-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-CABGA(9x9) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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| 71V416L12BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L12BEI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L15BEI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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| 71V416S12BE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
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| IDT71V416VS15BEGI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| IDT71V416VS15BEGI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA | |
| 71V416L10BE8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT71V416는 4번입니다.194304비트 고속 정적 램 256K x 16로 구성되어 있으며 고성능, 높은 신뢰성 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다.혁신적인 회로 설계 기술과 결합, 고속 메모리 요구에 대한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.IDT71V416는 5ns까지 빠르게 작동하는 출력 활성화 핀을 가지고 있으며 주소 액세스 시간은 10ns까지 빠릅니다.IDT71V416의 모든 양방향 입력과 출력은 LVTTL 호환되며 작동은 단일 3.3V 공급. 완전히 정적 아시크론 회로 사용, 작동을 위해 시계 또는 갱신이 필요하지 않습니다.
특징
◆ 256K x 16 고급 고속 CMOS 정적 RAM◆ JEDEC 센터 파워 / GND 피노트 소음 감축.
◆ 동등 한 접근 과 자전거 시간
상업 및 산업: 10/12/15ns
◆ 1개의 칩 선택 + 1개의 출력 활성화 핀
◆ 2차원 데이터 입력 및 출력 LVTTL와 직접 호환
◆ 칩 선택 해제 를 통해 낮은 전력 소모
◆ 상부 와 하부 바이트 를 허용 하는 핀
◆ 단일 3.3V 전원 공급
◆ 44핀 400밀리 플라스틱 SOJ 패키지와 44핀 400밀리 TSOP 타입 II 패키지와 48볼 그리드 배열, 9mm x 9mm 패키지로 제공됩니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 통합 회로 시스템 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | 71V416 |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 48-TFBGA |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 48-CABGA (9x9) |
| 메모리 용량 | 4M (256K x 16) |
| 메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
| 속도 | 12n |
| 접근 시간 | 12 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 85 C |
| 작동 온도 범위 | - 40C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 256k x 16 |
| 공급 전류 최대 | 180mA |
| 부분-#-위명 | 71V416 IDT71V416S12BEI |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 3V |
| 패키지 케이스 | CABGA-48 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| IDT71V416S12BEI8 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416S12BEI8 |
| IDT71V416YS12BEG3 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS 컴플라이언트, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416YS12BEG3 |
| IDT71V416S12BEI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416S12BEI |
| IDT71V416VS12BEGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416VS12BEGI |
| IDT71V416YS12BEGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416YS12BEGI |
| IDT71V416YFS12BEI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, POWER, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416YFS12BEI |
| 71V416VS12BEGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS 컴플라이언트, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 71V416VS12BEGI |
| 71V416S12BEI8 기억력 |
CABGA-48, 릴 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 71V416S12BEI8 |
| IDT71V416S12BEGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 IDT71V416S12BEGI |
| 71V416S12BEGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 9 X 9 MM, ROHS 컴플라이언트, BGA-48 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S12BEI 대 71V416S12BEGI |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mb (256K x 16) 병렬 12ns 48-CABGA (9x9)
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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