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CY7C1071DV33-12BAXI IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA 인피니언 테크놀로지

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 32Mbit |
메모리구성 | 2M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 12 나노 초 |
엑세스 시간 | 12ns | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-에프비지에이 (8x9.5) |
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Part Number | Description | |
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CY7C1071DV33-12BAXI | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-12BAXE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041G30-10BAJXE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY14V101NA-BA25XI | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041GN30-10BVJXI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
CY62177EV18LL-70BAXI | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY62177EV30LL-55BAXI | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY62187G30-55BAXI | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA | |
FM21LD16-60-BG | IC FRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-10BAXE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C10212DV33-10BVXI | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-10BAXA | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041G30-10BVXI | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA | |
CY14B104N-BA20XI | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
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CY7C1079DV33-12BAXIT | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY62177EV30LL-55BAXI | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
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CY14B101LA-BA45XI | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY14B104NA-BA45XI | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
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CY7C1081DV33-12BAXI | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-10BAXET | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1011CV33-10BAJXE | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1011CV33-10BAJXET | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-10BAJXE | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY7C1041CV33-10BAJXET | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA | |
CY62177EV18LL-70BAXI | SRAM - ASYNCHRONOUS MEMORY IC 32 |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
CY7C107과 CY7C1007는 1로 구성된 고성능 CMOS 정적 RAM입니다.048,576 단어 1 비트에 의해. 쉬운 메모리 확장은 활성 LOW 칩 활성화 (CE) 및 3 상태 드라이버에 의해 제공됩니다.이 장치들은 자동 전원 끄기 기능이 있습니다..
특징
• 고속
∙ tAA = 12 ns
• 최적의 속도/전력을 위한 CMOS
• 낮은 액티브 파워
825mW
• 낮은 대기 전력
275mW
• 2.0V 데이터 저장 (선택)
100μW
• 자동 전원 끄기
• TTL 호환 입력 및 출력
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | CY7C1071DV33 |
종류 | 비동기 |
포장 | 트레이 대체 포장 |
장착 방식 | SMD/SMT |
패키지 케이스 | 48-TFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 48-FBGA (8x9.5) |
메모리 용량 | 32M (2M x 16) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | 12n |
접근 시간 | 12 ns |
형식 메모리 | RAM |
최대 작동 온도 | + 85 C |
작동 온도 범위 | - 40C |
인터페이스 타입 | 병렬 |
조직 | 2 M x 16 |
공급 전류 최대 | 250mA |
공급 전압 최대 | 3.6V |
공급 전압-분 | 3V |
패키지 케이스 | FBGA-48 |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 32Mb (2M x 16) 병렬 12ns 48-FBGA (8x9.5)
SRAM 칩 비동기 단일 3.3V 32M-비트 2M x 16 12ns 48 핀 FBGA 트레이
SRAM 32Mb 3.3V 12ns 2Mx16 빠른 비동기 SRAM
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