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AS7C316098A-10BIN IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA 얼라이언스 메모리, 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 16Mbit |
메모리구성 | 1M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 10 나노 초 |
엑세스 시간 | 10 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 48-lfbga | 공급자의 장치 패키지 | 48-TFBGA(6x8) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
AS7C316098A-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C8016-55BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C8008-55BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS1C512K16P-70BIN | IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA | |
AS1C512K16PL-70BIN | IC PSRAM 8MBIT PARALLEL 48FBGA | |
AS1C1M16PL-70BIN | IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA | |
AS1C2M16P-70BIN | IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 48FBGA | |
AS7C34098B-10BIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38098A-10BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C6416-55BIN | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS1C1M16P-70BIN | IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48FBGA | |
AS6C1016-55BINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1016-55BIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C2016-55BINTR | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C2016-55BIN | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C4016-55BINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C4016-55BIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C34098A-10BINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA | |
AS7C34098B-10BINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C8008-55BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C8016-55BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1616B-55BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1616B-55BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1608B-45BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1608B-45BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38096A-10BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38098A-10BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38096B-10BINTR | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38096A-10BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C38096B-10BIN | IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C316098A-10BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C316096C-10BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C316096C-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C316096B-10BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C3216A-55BINTR | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C316096B-10BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C3216A-55BIN | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C6416-55BINTR | IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
PZ28F064M29EWBA | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWHA | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWLA | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWTA | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
AS6C1616-70BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
PZ28F032M29EWBB TR | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F032M29EWBA | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F032M29EWHA | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F032M29EWLA | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F032M29EWTA | IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWBX | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWHX | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWLX | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
PZ28F064M29EWTX | IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48BGA | |
AS6C1616-70BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1616A-55BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48FPBGA | |
AS6C3216-55BINTR | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C4016A-55BINTR | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1616A-55BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48FPBGA | |
AS6C3216-55BIN | IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C4016A-55BIN | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1608-55BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1608-55BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS6C1616-55BINTR | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C31026C-10BINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | |
AS6C1616-55BIN | IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA | |
AS7C31026C-10BIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | |
AS7C31026C-12BIN | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA | |
AS7C31026C-12BINTR | IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48BGA |
제품 설명
제품 세부 정보
기능 설명
AS7C1024 및 AS7C31024는 고성능 CMOS 1입니다.048,576-비트 정적 무작위 액세스 메모리 (SRAM) 장치 131,072 단어 × 8 비트로 구성되어 있습니다. 빠른 데이터 액세스, 낮은 전력 및 간단한 인터페이스를 원하는 메모리 응용 프로그램에 설계되었습니다.
특징
• AS7C1024 (5V 버전)• AS7C31024 (3.3V 버전)
• 산업 및 상업용 온도
• 조직: 131,072 단어 × 8 비트
• 고속
- 12/15/20 ns 주소 접속 시간
- 6개7,8 ns 출력 액세스 시간을 허용
• 낮은 전력 소비: ACTIVE
- 825mW (c) / 최대 @ 12 ns
- 360mW (AS7C31024) / 최대 @ 12 ns
• 낮은 전력 소비: STANDBY
- 55mW (AS7C1024) / 최대 CMOS
- 36mW (AS7C31024) / 최대 CMOS
• 2.0V 데이터 저장
• CE1, CE2, OE 입력으로 메모리 확장
• TTL/LVTTL 호환, 3상 I/O
• 32핀 JEDEC 표준 패키지
- 300 밀리 SOJ
- 400 밀리 SOJ
- 8 × 20mm TSOP I
- 8 × 13.4mm sTSOP I
• ESD 보호 ≥ 2000 볼트
• 잠금 전류 ≥ 200mA
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 얼라이언스 메모리, 인크 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 48-LFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 48-TFBGA (6x8) |
메모리 용량 | 16M (1M x 16) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | 10n |
형식 메모리 | RAM |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 16Mb (1M x 16) 평행 10ns 48-TFBGA (6x8)
SRAM 16M, 3.3V, 10ns FAST 1024K x 16 Asyn SRAM
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