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DS1245AB-70+ IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP 아날로그 디바이스 Inc./맥심 통합
| 브랜드 이름 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
|---|---|
| 모델 번호 | DS1245AB-70+ |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | NVSRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) | 메모리 용량 | 1Mbit |
| 메모리구성 | 128K Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 70 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 70 나노 초 | 전압 - 공급 | 4.75V ~ 5.25V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 구멍을 통해 |
| 패키지 / 케이스 | 32 하락 모듈 (0.600 ", 15.24 밀리미터) | 공급자의 장치 패키지 | 32-EDIP |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| DS1245AB-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND+ | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-150 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-85 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-70 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100 | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245Y-120IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245AB-70IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-150 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85 | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-70IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249AB-85IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70 | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-70IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1245W-100IND | IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250AB-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250Y-100IND | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1250W-150+ | IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100IND# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249W-100# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP | |
| DS1249Y-85# | IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
DS1245 1024k 비휘발성 SRAM은 1,048576비트, 완전히 정적, 비휘발성 SRAM은 8비트 131,072 단어로 구성되어 있습니다.모든 NV SRAM은 자체적으로 구성된 리?? 에너지 소스와 제어 회로로 구성되어 있으며, VCC를 지속적으로 허용 이상 상태를 모니터링합니다.이러한 상태가 발생하면 리?? 에너지 소스가 자동으로 켜지고 기록 보호가 조건없이 활성화되어 데이터 손상 방지됩니다.DIP 패키지 DS1245 장치는 기존 128k x 8 정적 RAM 대신 사용할 수 있으며, 인기 있는 바이트 와이드 32 핀 DIP 표준에 직접 적합합니다.파워캡 모듈 패키지의 DS1245 장치는 직접 표면에 장착되며 일반적으로 DS9034PC 파워캡과 결합하여 완전한 비휘발성 SRAM 모듈을 형성합니다.실행할 수 있는 기록 주기의 수에 제한이 없으며 마이크로프로세서 인터페이스를 위한 추가 지원 회로가 필요하지 않습니다..
특징
■ 외부 전원이 없는 경우 최소 10년 데이터 보존■ 전력 손실 시 자동으로 데이터가 보호 됩니다
■ 128k x 8 휘발성 정적 RAM, EEPROM 또는 플래시 메모리를 대체합니다.
■ 무제한 기록 주기
■ 저전력 CMOS
■ 70 ns의 읽기 및 쓰기 액세스 시간
■ 리?? 에너지 소스 는 처음 전원 공급 을 받기 전 까지 신선 함 을 유지 하기 위해 전기적 으로 단속 되어 있다
■ 전체 ±10% VCC 작동 범위 (DS1245Y)
■ 선택적 ±5% VCC 작동 범위 (DS1245AB)
■ 선택적 산업 온도 범위 -40°C ~ +85°C, IND로 지정
■ JEDEC 표준 32 핀 DIP 패키지
■ 파워캡 모듈 (PCM) 패키지
- 직접 표면에 장착 가능한 모듈
- 교체 가능한 스냅-온 파워캡은 리?? 백업 배터리를 제공합니다
- 모든 비휘발성 SRAM 제품에 대한 표준화 된 핀아웃
이름?
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 맥심 통합 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | DS1245AB |
| 포장 | 튜브 |
| 장착 방식 | 구멍을 통해 |
| 패키지 케이스 | 32-DIP 모듈 (0.600", 15.24mm) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 40.75V ~ 5.25V |
| 공급자 제품 패키지 | 32-EDIP |
| 메모리 용량 | 1M (128K x 8) |
| 메모리 타입 | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
| 속도 | 70n |
| 접근 시간 | 70 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 가동 공급 전류 | 85mA |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 128k x 8 |
| 부분-#-위명 | 90-1245A+B70 DS1245AB |
| 데이터 버스 너비 | 8비트 |
| 공급 전압 최대 | 5.25V |
| 공급 전압-분 | 4.75V |
| 패키지 케이스 | EDIP-32 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| DS1245Y-70+ 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-32 | Maxim 통합 제품 | DS1245AB-70+ 대 DS1245Y-70+ |
| DS1245AB-70IND 기억력 |
128KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 70ns, DMA32, 0.740 인치, 확장 모듈, DIP-32 | 로체스터 전자제품 LLC | DS1245AB-70+ 대 DS1245AB-70IND |
| DS1245Y-70IND 기억력 |
128KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 70ns, DMA32, 0.740 인치, 확장 모듈, DIP-32 | 로체스터 전자제품 LLC | DS1245AB-70+ 대 DS1245Y-70IND |
| M48Z128Y-70PM1 기억력 |
128KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STM이크로전자 | DS1245AB-70+ 대 M48Z128Y-70PM1 |
| DS1245Y-70 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, 확장 모듈, DIP-32 | Maxim 통합 제품 | DS1245AB-70+ 대 DS1245Y-70 |
| DS1245AB-70 기억력 |
비휘발성 SRAM 모듈, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 댈러스 반도체 | DS1245AB-70+ 대 DS1245AB-70 |
| DS1245Y-70IND+ 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-32 | Maxim 통합 제품 | DS1245AB-70+ 대 DS1245Y-70IND+ |
| DS1245AB-70IND+ 기억력 |
휘발성 없는 SRAM 모듈, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS 컴플라이언트, DIP-32 | Maxim 통합 제품 | DS1245AB-70+ 대 DS1245AB-70IND+ |
| M48Z128-70PM1 기억력 |
128KX8 비휘발성 SRAM 모듈, 70ns, PDMA32, PMDIP-32 | STM이크로전자 | DS1245AB-70+ 대 M48Z128-70PM1 |
설명
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 IC 1Mb (128K x 8) 평행 70ns 32-EDIP
NVRAM 1024K SRAM 비휘발성
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