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6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC 레네사스 전자제품 아메리카 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
---|---|---|---|
기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 16Kbit |
메모리구성 | 2K X 8 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 25 나노 초 |
엑세스 시간 | 25 나노 초 | 전압 - 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 24-SOIC(0.295", 폭 7.50mm) | 공급자의 장치 패키지 | 24-SOIC |
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Part Number | Description | |
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6116LA25SOG8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA20SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA15SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA20SOGI | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA25SOGI | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA20SOG8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA15SOG8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA20SOG8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
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6116LA20SOGI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA25SOGI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA25SOGI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA25SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA20SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA25SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116LA25SOGI | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16-15SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16-15SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28BV16-25SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28BV16-25SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28BV16-30SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28BV16-30SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16-20SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16-20SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16E-15SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16E-15SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16E-20SC | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
AT28C16E-20SI | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI-90T | IC EEPROM 16KBIT 90NS 24SOIC | |
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6116LA15SOGI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
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IDT6116LA25SO8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
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IDT6116SA25SOI | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
IDT6116SA25SOI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
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IDT6116SA45SOI8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA35SOG | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
6116SA35SOG8 | IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AW20 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AW-20T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI12 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI-12T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI90 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AW-12T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI-20T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AW12 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AWI20 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI90 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AX20 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI12 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI-12T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI20 | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI-20T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC | |
CAT28C16AXI-90T | IC EEPROM 16KBIT PARALLEL 24SOIC |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT6116SA/LA는 2K x 8로 구성된 16,384비트 고속 정적 RAM이다. 고성능, 높은 신뢰성 CMOS 기술을 사용하여 제조된다.특징
◆ 초고속 접속 및 칩 선택 시간
군인: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (최대)
산업용: 20/25ns (최대)
상업용: 15/20/25n (최고)
◆ 낮은 전력 소모
◆ 배터리 보전 작업
2V 데이터 보유 전압 (LA 버전만)
◆ 첨단 CMOS 고성능 시스템 으로 제작
기술
◆ CMOS 공정 은 알파 입자 가 부드러운 오류 를 거의 제거 한다
비율
◆ TTL와 직접 호환되는 입력 및 출력
◆ 정적 작동: 시계 나 갱신 을 요구 하지 않는다
◆ 세라믹 24핀 DIP, 세라믹 및 플라스틱 24핀 Thin
디프 및 24핀 SOIC
◆ MIL-STD-833, 클래스 B 에 부합 하는 군사 제품
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 통합 회로 시스템 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 대체 포장 |
패키지 케이스 | 24-SOIC (0.295", 7.50mm 너비) |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 4.5V ~ 5.5V |
공급자 제품 패키지 | 24-SOIC |
메모리 용량 | 16K (2K x 8) |
메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
속도 | 25n |
형식 메모리 | RAM |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
6116LA20SOGI 기억력 |
SOIC-24, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 6116LA25SOG8 대 6116LA20SOGI |
6116LA20SOG 기억력 |
SOIC-24, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 6116LA25SOG8 대 6116LA20SOG |
STK22C48-SF25 기억력 |
휘발성 없는 SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 심텍 코퍼레이션 | 6116LA25SOG8 대 STK22C48-SF25 |
6116LA25SOGI 기억력 |
SOIC-24, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 6116LA25SOG8 대 6116LA25SOGI |
6116LA25SOG 기억력 |
SOIC-24, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 6116LA25SOG8 대 6116LA25SOG |
STK22C48-SF45I 기억력 |
2KX8 비휘발성 SRAM, 45ns, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 로체스터 전자제품 LLC | 6116LA25SOG8 대 STK22C48-SF45I |
STK22C48-SF25I 기억력 |
2KX8 비휘발성 SRAM, 25ns, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 로체스터 전자제품 LLC | 6116LA25SOG8 대 STK22C48-SF25I |
STK22C48-NF45I 기억력 |
2KX8 비휘발성 SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 로체스터 전자제품 LLC | 6116LA25SOG8 대 STK22C48-NF45I |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 16Kb (2K x 8) 병렬 25ns 24-SOIC
SRAM 16K 비동기 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
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