IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS42S16320F-7BLI
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가격 Based on current price
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM 메모리 용량 512Mbit
메모리구성 32M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 143 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 5.4 나노 초 전압 - 공급 3V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 54-tfbga 공급자의 장치 패키지 54-TW-BGA(8x13)
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Part Number Description
IS42S16320F-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320F-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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IS45S16320F-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320D-6BL IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-6BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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IS42S16320D-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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IS42S16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320F-7BLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320D-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
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IS45S16320D-7BLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160B-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-6B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
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IS42S16160B-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
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IS42S16160B-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160B-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16800D-6B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-6B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-7B-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBL IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
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IS42S16800D-75EBL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16800D-75EBLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 54MINIBGA
IS42S16160B-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54LFBGA
IS42S16160D-6BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-6BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7BL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-7B-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16160D-75EBLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS42S16320B-7BL IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-6BL IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-6BL-TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54WBGA
IS42S16320B-7BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42S16320B-7BL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS42VM16320D-6BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-6BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS42VM16320D-75BLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-6BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16160D-7BLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
IS45S16320B-7BLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
IS45S16320B-7BLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 54WBGA
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제품 설명

제품 세부 정보

장치의 개요

ISSIS 512Mb 동기 DRAM은 파이프라인 아키텍처를 사용하여 고속 데이터 전송을 달성합니다. 모든 입력 및 출력 신호는 시계 입력의 상승 가장자리를 참조합니다.

특징

• 시계 주파수: 200, 166, 143 MHz
• 완전 동기화; 모든 신호는 긍정적 인 시계 가장자리에 참조됩니다.
• 숨겨진 행 접근/전전 충전용 내부 은행
전원 공급: Vdd/Vddq = 2.3V-3.6V IS42/45SxxxxxD - Vdd/Vddq = 3.3V IS42/45RxxxxxD - Vdd/Vddq = 2.5
• LVTTL 인터페이스
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길이 (1, 2, 4, 8, 전체 페이지)
• 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 / 간격
• 자동 갱신 (CBR)
• 자신 을 신장 시킬 것
• 8K 갱신 주기가 64 ms마다
• 각 시계 사이클의 무작위 열 주소
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 시간 (2, 3 시간)
• 퍼스트 읽기 / 쓰기 및 퍼스트 읽기 / 단일 쓰기 작업 기능
• 폭발 중지 및 전 충전 명령에 의해 폭발 종료
• 패키지: x8/x16: 54핀 TSOP-II, 54볼 TF-BGA (x16만) x32: 90볼 TF-BGA
• 온도 범위: 상업용 (0oC ~ + 70oC) 산업용 (-40oC ~ + 85oC) 자동차용, A1 (-40oC ~ + 85oC) 자동차용, A2 (-40oC ~ + 105oC)

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이 대체 포장
패키지 케이스 54-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 3V ~ 3.6V
공급자 제품 패키지 54-TWBGA (13x8)
메모리 용량 512M (32M x 16)
메모리 타입 SDRAM
속도 143MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM 메모리 IC 512Mb (32M x 16) 병렬 143MHz 5.4ns 54-TWBGA (13x8)
DRAM 칩 SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54핀 TW-BGA
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 볼 BGA (8mmx13mm), RoHS, IT