MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT41J128M16HA-125 IT:D
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.

왓츠앱:0086 18588475571

위챗: 0086 18588475571

스카이프: sales10@aixton.com

만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.

x
제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR3 메모리 용량 2Gbit
메모리구성 128M X 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 800 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 13.75 나노 초 전압 - 공급 1.425V ~ 1.575V
작동 온도 -40' C ~ 95' C (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 96-tfbga 공급자의 장치 패키지 96-에프비지에이 (9x14)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT41K256M16TW-107 AUT:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-187E:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41K128M16HA-15E IT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E:D TR IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-107G:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AAT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-15E AIT:D IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT41J128M16HA-125G:D TR IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-107 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-107G:E TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 IT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M AIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 M:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41J256M16HA-093:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-093G:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-107:E IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41J256M16HA-125:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 V:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 XIT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E IT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AIT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K256M16TW-107 V:P TR IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
MT41K512M16HA-107G:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A512M16HA-083E:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A512M16HA-083E IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-107 IT:A IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E AIT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E IT:B IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 AIT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-107:A TR IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT40A256M16GE-062E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT40A256M16GE-083E AUT:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-075E:B TR IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
MT40A256M16GE-083E:B TR IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
MT41K512M16HA-125 IT:A TR IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
메시지를 남겨주세요
Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

DDR3 SDRAM

2GB: x4, x8, x16 DDR3 SDRAM

특징

• VDD= VDDQ= 1.5V ±0.075V
• 1.5V 중부 종료 된 푸시/트랙 I/O
• 이방향 데이터 스트로브
• 8n-비트 prefetch 구조
• 차차 시계 입력 (CK, CK#)
• 8개의 내부 은행
• 데이터, 스트로브 및 마스크 신호에 대한 명목 및 동적 온 다이 종료 (ODT)
• 프로그래밍 가능한 CAS READ 지연 (CL)
• CAS 첨가물 대기 (AL)
• tCK를 기반으로 프로그래밍 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL)
• 8의 고정 분출 길이 (BL) 및 4의 분출 톱 (BC) (모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)
• 선택 가능한 BC4 또는 BL8 이동 (OTF)
• 자동 업데이트 모드
• 0°C ~ 95°C의 TC
0°C ~ 85°C에서 64ms, 8192 사이클 갱신
32ms, 85°C ~ 95°C에서 8192 사이클 갱신
• 자기 갱신 온도 (SRT)
• 평준화 를 작성
• 다목적 등록
• 출력 드라이버 캘리브레이션

사양

속성 속성 값
제조업자 마이크론 테크놀로지
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이
패키지 케이스 96-TFBGA
작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC)
인터페이스 병렬
전압 공급 1.425V ~ 1.575V
공급자 제품 패키지 96-FBGA (9x14)
메모리 용량 2G (128M x 16)
메모리 타입 DDR3 SDRAM
속도 800MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - DDR3 메모리 IC 2Gb (128M x 16) 평행 800MHz 13.75ns 96-FBGA (9x14)
DRAM 칩 DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96핀 FBGA