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MT41K64M16TW-107:J TR IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA 마이크론 테크놀로지 인크

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR3L | 메모리 용량 | 1Gbit |
메모리구성 | 64M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 933 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
작동 온도 | 0' C ~ 95' C (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 96-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 96-에프비지에이 (8x14) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT41K64M16TW-107:J TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K64M16TW-107:J | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
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MT41K256M16TW-107:P | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
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MT41K256M16TW-107:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
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MT41K64M16TW-107 IT:J | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41J256M16HA-093 J:E | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41J64M16TW-093:J TR | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K128M16JT-125 V:K TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K256M16TW-093 IT:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K64M16TW-125:J TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT40A512M16JY-075E IT:B TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT40A1G16WBU-083E:B TR | IC DRAM 16GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AIT:B TR | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AUT:B TR | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E IT:B TR | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT41K64M16TW-107 XIT:J | IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA | |
MT40A512M16JY-075E:B TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E:B TR | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A1G16WBU-075E:B | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT40A512M16JY-062E:B | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
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MT40A1G16WBU-075E:B TR | IC DRAM 16GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT40A512M16JY-062E IT:B TR | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
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MT41K64M16TW-125:J | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | |
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MT41K256M16TW-093 IT:P | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT40A1G16WBU-083E:B | IC DRAM 16GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
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MT40A512M16JY-075E:B | IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AAT:B | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AIT:B | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
MT40A512M16JY-083E AUT:B | IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA | |
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MT41K128M16JT-17:K TR | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | |
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MT41K128M16JT-17:K | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K256M16TW-17 XIT:P | IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA | |
MT41K256M16TW-93:P | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K256M16TW-107 AT:P TR | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA | |
MT41K256M16TW-107 AT:P | IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
[MCL]
브로드밴드 CW TWT LAB 증폭기
레이더, EMC 및 EW 테스트를 위해
MT4100 광대역 증폭기는 현장에서 입증 된 MT4000 TWT 아키텍처를 활용합니다.
모듈형 디자인, 콤팩트하고 효율적인 패키지, MT4100는 비교할 수 없는 신뢰성을 보여줄 것입니다.
특징:
광범위한 진단 능력첨단 열 설계
콤팩트 크기
튜브 냉각
조용 한 작전
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 테이프 & 롤 (TR) 대체 포장 |
패키지 케이스 | 96-TFBGA |
작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 1.283V ~ 1.45V |
공급자 제품 패키지 | 96-FBGA (8x14) |
메모리 용량 | 1G (64M x 16) |
메모리 타입 | DDR3L SDRAM |
속도 | 933MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR3L 메모리 IC 1Gb (64M x 16) 평행 933MHz 20ns 96-FBGA (8x14)
DRAM 칩 DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96핀 FBGA 트레이
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