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IS49NLC18160-25B IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.
| 브랜드 이름 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | IS49NLC18160-25B |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | RLDRAM 2 | 메모리 용량 | 288Mbit |
| 메모리구성 | 16M×18 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 400 MHz | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 144-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 144-FCBGA(11x18.5) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| IS49NLC18320A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC96400A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLS18320A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLS96400A-25WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC36160A-25EWBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18160-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-25BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18160-33BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18160-33BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA | |
| IS49NLC18320-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25EBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-25EBLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC18320-33BLI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36160-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLC36160-33BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLC36800-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLC36800-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC36800-33BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLC93200-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BL | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-25BLI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC93200-33BI | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLC96400-25B | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25BI | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
| IS49NLC96400-25BL | IC DRAM 576MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLS18160-25B | IC DRAM 288MBIT PAR 144FCBGA | |
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| IS49NLS96400A-33WBL | IC DRAM 576MBIT PAR 144TWBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
■ 특징
1셔미트 트리거 회로2낮은 전압 작동 유형 (VCC:2.3~7.0V)
3높은 민감성 유형 (IS481 E VHL: TYP. 5.4 lx Ta=25 ̊C)
(IS482 E VLH: TYP. Ta=25 ̊C에서 5.4 lx)
4LSTTL와 TTL가 호환됩니다.
5부딪히는 빛 아래에서 낮은 수준의 출력 (IS481)
부등등 (IS482) 아래 높은 수준의 출력
■ 응용 프로그램
1배터리 가동 휴대용 장비
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | ISSI |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | IS49NLC18160 |
| 종류 | DDR1 |
| 포장 | 트레이 |
| 단위 무게 | 00.015757 온스 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 상표명 | RLDRAM2 |
| 패키지 케이스 | 144-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 공동 I/O |
| 전압 공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 공급자 제품 패키지 | 144-FCBGA (11x18.5) |
| 메모리 용량 | 288M (16M x 18) |
| 메모리 타입 | RLDRAM 2 |
| 속도 | 2.5ns |
| 접근 시간 | 2.5 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 조직 | 16m x 18m |
| 공급 전류 최대 | 408mA |
| 데이터 버스 너비 | 18비트 |
| 공급 전압 최대 | 1.9V |
| 공급 전압-분 | 1.7V |
| 패키지 케이스 | BGA-144 |
| 최대 시계 주파수 | 400 MHz |
설명
DRAM 메모리 IC 288Mb (16M x 18) 병렬 400MHz 20ns 144-FCBGA (11x18.5)
DRAM 288Mbit x18 일반 I/O 400MHz 납
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