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IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

  • IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
브랜드 이름 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
모델 번호 IS43R16160F-6TLI
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR 메모리 용량 256Mbit
메모리구성 16M Ｘ 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 166 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 15 나노 초
엑세스 시간 700이지 추신 전압 - 공급 2.3V ~ 2.7V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 66 TSSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 66-TSOP II
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-6TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800E-5TLI IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160F-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200F-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160F-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320F-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400F-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TL IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200D-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-5TLA1 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16160D-6TLA2 IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16320D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400D-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R86400D-6TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320E-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-5TLA1 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS46R16320D-6TLA2 IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800A-5TL-TR IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-6TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R83200B-5TL-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16800C-5TL IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-5TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R16160B-6TLI-TR IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-5TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IS43R86400E-6TLI-TR IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

특징

● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V
● 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
● 시스템과 함께 고속 데이터 전송 속도
933 MHz까지의 주파수
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8n 비트 프리 포치 구조
● 프로그래밍 가능한 CAS 지연
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● tCK 를 기반으로 프로그래밍 할 수 있는 CAS WRITE 지연 (CWL)
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서적 또는 간간적
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● 적어 놓음
● DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)

사양

속성 속성 값
제조업자 ISSI
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이 대체 포장
패키지 케이스 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 너비)
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 2.3V ~ 2.7V
공급자 제품 패키지 66-TSOP II
메모리 용량 256M (16M x 16)
메모리 타입 DDR SDRAM
속도 166MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - DDR 메모리 IC 256Mb (16M x 16) 병렬 166MHz 700ps 66-TSOP II
DRAM 칩 DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66핀 TSOP-II
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC