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IS43R16160F-6TLI IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
---|---|---|---|
기술 | SDRAM - DDR | 메모리 용량 | 256Mbit |
메모리구성 | 16M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 166 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
엑세스 시간 | 700이지 추신 | 전압 - 공급 | 2.3V ~ 2.7V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 66 TSSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 66-TSOP II |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
IS43R16160F-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160F-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS43R16320F-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS43R16800E-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS46R16160F-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS43R16320E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS46R16160D-6TLA2 | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16320E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS46R16320E-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS43R86400D-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-5TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS43R86400D-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS46R16320D-5TLA1-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R86400D-6TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320E-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
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IS46R16320D-6TLA2-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS46R16320D-6TLA2 | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800A-5TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R83200B-5TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16800C-5TL | IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-5TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R16160B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-5TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II | |
IS43R86400E-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
제품 설명
제품 세부 정보
특징
● 표준 전압: VDD 및 VDDQ = 1.5V ± 0.075V● 저전압 (L): VDD 및 VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V
- 1.5V까지 역동 호환
● 시스템과 함께 고속 데이터 전송 속도
933 MHz까지의 주파수
● 동시 운영 을 위한 8 개 의 내부 은행
● 8n 비트 프리 포치 구조
● 프로그래밍 가능한 CAS 지연
● 프로그래밍 가능한 추가 지연: 0, CL-1, CL-2
● tCK 를 기반으로 프로그래밍 할 수 있는 CAS WRITE 지연 (CWL)
● 프로그램 할 수 있는 폭발 길기: 4 및 8
● 프로그램 할 수 있는 폭발 순서: 순서적 또는 간간적
● BL 스위치 를 바로 가십시오
● 자동 자동 갱신 (ASR)
● 자기 갱신 온도 (SRT)
● 갱신 간격:
7.8 us (8192 회전/64 ms) Tc=-40°C ~ 85°C
3.9 us (8192 회전/32 ms) Tc= 85°C ~ 105°C
● 부분 배열 자기 갱신
● 비동기적 인 RESET 핀
● TDQS (Termination Data Strobe) 지원 (x8만)
● OCD (오프 칩 드라이버 저항 조절)
● 다이내믹 ODT (동식 종식)
● 드라이버 강도: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240)
● 적어 놓음
● DLL 종료 모드에서 최대 200MHz
● 작동 온도:
상업용 (TC = 0°C ~ +95°C)
산업용 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A1 (TC = -40°C ~ +95°C)
자동차, A2 (TC = -40°C ~ +105°C)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 2.3V ~ 2.7V |
공급자 제품 패키지 | 66-TSOP II |
메모리 용량 | 256M (16M x 16) |
메모리 타입 | DDR SDRAM |
속도 | 166MHz |
형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR 메모리 IC 256Mb (16M x 16) 병렬 166MHz 700ps 66-TSOP II
DRAM 칩 DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66핀 TSOP-II
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
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