AT45DB041E-MHN-T IC FLASH 4MBIT SPI 85MHZ 8UDFN 레네사스 디자인 독일 GmbH

[아데스토]

설명

AT45DB041E는 다양한 디지털 음성, 이미지, 프로그램 코드 및 데이터 저장 애플리케이션에 이상적으로 적합한 최소 1.65V, 일련 인터페이스 순차 액세스 플래시 메모리입니다.AT45DB041E는 또한 매우 빠른 동작을 필요로 하는 응용 프로그램에 대한 RapidS 시리즈 인터페이스를 지원- 4개야194,304 비트 메모리는 각각 256 바이트 또는 264 바이트의 2,048 페이지로 구성되어 있습니다. 메인 메모리 외에도 AT45DB041E에는 각각 256/264 바이트의 두 개의 SRAM 버퍼가 포함되어 있습니다.버퍼는 메인 메모리에 있는 페이지가 재프로그램되는 동안 데이터를 수신할 수 있게 합니다..
두 버퍼 사이의 교류는 연속 데이터 스트림을 작성하는 시스템의 능력을 크게 증가시킬 수 있습니다. 또한 SRAM 버퍼는 추가 시스템 스크래치 패드 메모리로 사용될 수 있습니다.그리고 E2PROM 에뮬레이션 (비트 또는 바이트 변경 가능성) 은 독립적인 세 단계 읽기-변경-쓰기 작업으로 쉽게 처리 할 수 있습니다..

특징

● 단일 1.65V - 3.6V 공급
● SPI (Serial Peripheral Interface) 호환성
● SPI 모드 0 및 3를 지원합니다.
● RapidSTM 동작을 지원합니다.
● 전체 배열을 통해 연속 읽기 기능
● 최대 85MHz
● 15MHz 까지 낮은 전력 판독 옵션
● 최대 6ns의 시계 출력 시간 (tV)
● 사용자 설정 가능한 페이지 크기
● 한 페이지 당 256 바이트
● 한 페이지당 264 바이트 (예정)
● 페이지 크기는 256 바이트로 공장 미리 구성 할 수 있습니다
● 두 개의 완전히 독립적인 SRAM 데이터 버퍼 (256/264 바이트)
● 메인 메모리 배열을 재프로그램하는 동안 데이터를 수신할 수 있습니다.
● 유연 한 프로그램 선택
● 바이트/페이지 프로그램 (1에서 256/264 바이트) 을 직접 메인 메모리 로
● 버퍼 기록
● 메인 메모리 페이지 프로그램 버퍼
● 유연 한 삭제 옵션
● 페이지 삭제 (256/264 바이트)
● 블록 삭제 (2KB)
● 섹터 삭제 (64KB)
● 칩 지워 (4-Mbit)
● 프로그램 및 삭제 중단/회담
● 첨단 하드웨어 및 소프트웨어 데이터 보호 기능
● 개별 분야 보호
● 각 부문별로 차단하여 모든 부문을 영구적으로 읽기 전용으로 만들 수 있습니다.
● 128 바이트, 한 번 프로그래밍 할 수 있는 보안 등록기 (OTP)
● 64 바이트 고유 식별자 로 공장 프로그램
● 64 바이트 사용자 프로그래밍
● 하드웨어 및 소프트웨어 제어 리셋 옵션
● JEDEC 표준 제조업체 및 장치 ID 읽기
● 저전력 분산
● 400nA 극심 전력 감소 전류 (보통)
● 3μA 딥 파워 다운 전류 (보통)
● 25μA 대기 전류 (보통)
● 7mA 액티브 리딩 전류 (일반적으로 @ 15MHz)
● 내구성: 한 페이지 당 최소 100,000번의 프로그램/삭제 순환
● 데이터 보존 기간: 20 년
● 산업용 온도 범위 전체에 적합
● 친환경 (Pb/halogen-free/RoHS) 포장 옵션
● 8개 리드 SOIC (0.150" 너비, 0.208" 너비)
● 8 패드 초 얇은 DFN (5 x 6 x 0.6mm)
● 8 볼 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지
● 웨이퍼 형태 로 죽기 (1)