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71V416S15YG8 IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ 레네사스 전자제품 아메리카 인크
| 브랜드 이름 | Renesas Electronics America Inc |
|---|---|
| 모델 번호 | 71V416S15YG8 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | SRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SRAM - 비동시적입니다 | 메모리 용량 | 4Mbit |
| 메모리구성 | 256K x 16 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 15 나노 초 |
| 엑세스 시간 | 15 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 44 BSOJ (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 44-SOJ |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| 71V416S15YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
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| IDT71V416YS15YI8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ | |
| 71V416L10YG8 | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
제품 설명
제품 세부 정보
설명
IDT71V416는 4번입니다.194304비트 고속 정적 램 256K x 16로 구성되어 있으며 고성능, 높은 신뢰성 CMOS 기술을 사용하여 제조되었습니다.혁신적인 회로 설계 기술과 결합, 고속 메모리 요구에 대한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.IDT71V416는 5ns까지 빠르게 작동하는 출력 활성화 핀을 가지고 있으며 주소 액세스 시간은 10ns까지 빠릅니다.IDT71V416의 모든 양방향 입력과 출력은 LVTTL 호환되며 작동은 단일 3.3V 공급. 완전히 정적 아시크론 회로 사용, 작동을 위해 시계 또는 갱신이 필요하지 않습니다.
특징
◆ 256K x 16 고급 고속 CMOS 정적 RAM◆ JEDEC 센터 파워 / GND 피노트 소음 감축.
◆ 동등 한 접근 과 자전거 시간
상업 및 산업: 10/12/15ns
◆ 1개의 칩 선택 + 1개의 출력 활성화 핀
◆ 2차원 데이터 입력 및 출력 LVTTL와 직접 호환
◆ 칩 선택 해제 를 통해 낮은 전력 소모
◆ 상부 와 하부 바이트 를 허용 하는 핀
◆ 단일 3.3V 전원 공급
◆ 44핀 400밀리 플라스틱 SOJ 패키지와 44핀 400밀리 TSOP 타입 II 패키지와 48볼 그리드 배열, 9mm x 9mm 패키지로 제공됩니다.
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 통합 회로 시스템 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | 71V416S15 |
| 종류 | 비동기 |
| 포장 | 대체 포장 |
| 장착 방식 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm 너비) |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
| 공급자 제품 패키지 | 44-SOJ |
| 메모리 용량 | 4M (256K x 16) |
| 메모리 타입 | SRAM - 비동기 |
| 속도 | 15n |
| 접근 시간 | 15 ns |
| 형식 메모리 | RAM |
| 최대 작동 온도 | + 70C |
| 작동 온도 범위 | 0 C |
| 인터페이스 타입 | 병렬 |
| 조직 | 256k x 16 |
| 공급 전류 최대 | 170mA |
| 부분-#-위명 | 71V416 IDT71V416S15YG8 |
| 공급 전압 최대 | 3.6V |
| 공급 전압-분 | 3V |
| 패키지 케이스 | SOJ-44 |
| 제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
| 71V416S15YG 기억력 |
SOJ-44, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S15YG8 대 71V416S15YG |
| 71V416S15YGI8 기억력 |
SOJ-44, 릴 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S15YG8 대 71V416S15YGI8 |
| CY7C1041BNV33-15VXI 기억력 |
256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, 납 없는, SOJ-44 | 로체스터 전자제품 LLC | 71V416S15YG8 대 CY7C1041BNV33-15VXI |
| CY7C1041CV33-15VXC 기억력 |
256KX16 STANDARD SRAM, 15ns, PDSO44, 0.400 INCH, 납 없는, SOJ-44 | 로체스터 전자제품 LLC | 71V416S15YG8 대 CY7C1041CV33-15VXC |
| 71V416S15YGI 기억력 |
SOJ-44, 튜브 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S15YG8 대 71V416S15YGI |
| AS7C34098A-15JI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, SOJ-44 | 얼라이언스 메모리 | 71V416S15YG8 대 AS7C34098A-15JI |
| AS7C34098A-15JIN 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 리드 무료, SOJ-44 | 얼라이언스 메모리 | 71V416S15YG8 대 AS7C34098A-15JIN |
| AS7C34098A-15JCN 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 리드 무료, SOJ-44 | 얼라이언스 메모리 | 71V416S15YG8 대 AS7C34098A-15JCN |
| IDT71V416S15YGI 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S15YG8 대 IDT71V416S15YGI |
| IDT71V416S15YG 기억력 |
표준 SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | 통합 장치 기술 Inc | 71V416S15YG8 대 IDT71V416S15YG |
설명
SRAM - 비동기 메모리 IC 4Mb (256K x 16) 평행 15ns 44-SOJ
SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
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