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S34MS01G104BHI010 IC 플래시 1GBIT PARALLEL 63BGA 사이프레스 반도체

  • S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA Cypress Semiconductor Corp
브랜드 이름 Cypress Semiconductor Corp
모델 번호 S34MS01G104BHI010
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
공급 능력 재고 중

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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - NAND 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 64M Ｘ 16 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 45 나노 초
엑세스 시간 45 나노 초 전압 - 공급 1.7V ~ 1.95V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 63-vfbga 공급자의 장치 패키지 63-bga (11x9)
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
S34MS01G104BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
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S34ML01G200BHI503 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML01G200BHI900 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML01G200BHI903 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML02G104BHI010 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML04G104BHI010 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
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S34ML04G200BHI500 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML04G200BHI503 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML04G200BHI900 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML04G200BHI903 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G100BHI003 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G200BHI000 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G200BHI003 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G200BHI900 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G200BHI903 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS01G204BHI010 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS02G100BHI000 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS04G100BHI003 IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA
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S34MS01G104BHI910 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
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S34MS08G201BHA003 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS08G201BHB000 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA
S34MS08G201BHB003 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML08G101BHB003 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA
S34ML02G104BHA013 IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

확장 S34ML01G1, S34ML02G1, S34ML04G1 시리즈는 3.3 VCC 및 VCCQ 전원 공급 장치 및 x8 또는 x16 I / O 인터페이스로 제공됩니다.그 NAND 셀은 고체 대용량 저장 시장에 가장 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.. 메모리는 독립적으로 지울 수 있는 블록으로 나뉘어 있어 오래된 데이터가 지워지는 동안 유효한 데이터를 보존할 수 있다. x8의 페이지 크기는 (2048 + 64 예비) 바이트이다.x16 (1024 + 32) 단어.

사양

속성 속성 값
제조업자 사이프러스 반도체
제품 분류 메모리 IC
시리즈 MS-1
포장 트레이
패키지 케이스 63-VFBGA
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
인터페이스 병렬
전압 공급 10.7V ~ 1.95V
공급자 제품 패키지 63-BGA (11x9)
메모리 용량 1G (64M x 16)
메모리 타입 플래시 - NAND
속도 45n
형식 메모리 플래시
기능적 호환성 부품양식, 패키지, 기능적 호환성 부품
제조자 부분# 설명 제조업자 비교
S34MS01G104BHI010
기억력		 플래시, 64MX16, 45ns, PBGA63, BGA-63 사이프러스 반도체 S34MS01G104BHI010 대 S34MS01G104BHI010

설명

플래시 - NAND 메모리 IC 1Gb (64M x 16) 병렬 45ns 63-BGA (11x9)
SLC NAND 플래시 평행 1.8V 1G 비트 64M x 16 63 핀 BGA 트레이
꼬리표:

안정적 플래쉬 메모리 IC

순간 메모리용 IC 비휘발성

SPI 플래쉬 메모리 IC