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S34MS01G104BHI010 IC 플래시 1GBIT PARALLEL 63BGA 사이프레스 반도체

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x제품 상세 정보
기억 영역형 | 비휘발성입니다 | 메모리 포맷 | 플래시 |
---|---|---|---|
기술 | 플래시 - NAND | 메모리 용량 | 1Gbit |
메모리구성 | 64M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | - | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | 45 나노 초 |
엑세스 시간 | 45 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.7V ~ 1.95V |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 63-vfbga | 공급자의 장치 패키지 | 63-bga (11x9) |
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Part Number | Description | |
---|---|---|
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
MT29F2G08ABBGAH4-IT:G | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
S34MS01G104BHI010 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
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S34MS04G204BHI010 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML16G202BHI003 | IC FLASH 16GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML16G202BHI000 | IC FLASH 16GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34MS08G201BHI000 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA | |
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NAND512W3A2BZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
NAND512R3A2BZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
NAND01GR3B2BZA6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
NAND01GW3B2BZA6E | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA | |
NAND512R3A2CZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
NAND512W3A2CZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
NAND512R3A2DZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
NAND512W3A2DZA6E | IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA | |
S34MS16G202BHI000 | IC FLASH 16G PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G100BHI000 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G200BHI003 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML02G100BHI003 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML08G101BHI003 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML04G200BHI000 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML08G101BHI000 | IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34MS01G100BHI000 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34MS02G104BHI010 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34MS04G100BHI000 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34MS04G200BHI000 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G100BHI003 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G200BHI500 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G200BHI503 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G200BHI900 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML01G200BHI903 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML02G104BHI010 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML04G104BHI010 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML04G104BHI013 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML04G200BHI500 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
S34ML04G200BHI503 | IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63BGA | |
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S34MS01G104BHB010 | IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA | |
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S34ML02G104BHA013 | IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63BGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
확장 S34ML01G1, S34ML02G1, S34ML04G1 시리즈는 3.3 VCC 및 VCCQ 전원 공급 장치 및 x8 또는 x16 I / O 인터페이스로 제공됩니다.그 NAND 셀은 고체 대용량 저장 시장에 가장 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.. 메모리는 독립적으로 지울 수 있는 블록으로 나뉘어 있어 오래된 데이터가 지워지는 동안 유효한 데이터를 보존할 수 있다. x8의 페이지 크기는 (2048 + 64 예비) 바이트이다.x16 (1024 + 32) 단어.
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | 사이프러스 반도체 |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | MS-1 |
포장 | 트레이 |
패키지 케이스 | 63-VFBGA |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 10.7V ~ 1.95V |
공급자 제품 패키지 | 63-BGA (11x9) |
메모리 용량 | 1G (64M x 16) |
메모리 타입 | 플래시 - NAND |
속도 | 45n |
형식 메모리 | 플래시 |
제조자 부분# | 설명 | 제조업자 | 비교 |
S34MS01G104BHI010 기억력 |
플래시, 64MX16, 45ns, PBGA63, BGA-63 | 사이프러스 반도체 | S34MS01G104BHI010 대 S34MS01G104BHI010 |
설명
플래시 - NAND 메모리 IC 1Gb (64M x 16) 병렬 45ns 63-BGA (11x9)
SLC NAND 플래시 평행 1.8V 1G 비트 64M x 16 63 핀 BGA 트레이
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