W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA 윈본드 전자

브랜드 이름 Winbond Electronics
모델 번호 W631GG8KB-11
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
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제품 상세 정보
기억 영역형 휘발성 물질 메모리 포맷 DRAM
기술 SDRAM - DDR3 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 128M X 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 933 마하즈 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 20 나노 초 전압 - 공급 1.425V ~ 1.575V
작동 온도 0' C ~ 95' C (TC) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 78-tfbga 공급자의 장치 패키지 78-WBGA(10.5x8)
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Part Number Description
W631GU8NB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB09I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB15I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8NB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB09I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-09 TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-15 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8NB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8NB-12 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8NB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8NB-09 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-15 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB-12 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GU8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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W632GG8NB15I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W632GG8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
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W632GU8NB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I TR IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
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W632GU8NB09I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8NB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GG8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GG8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GG8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78WBGA
W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8KB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GU8KB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GU8KB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8MB-11 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
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W632GG8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I TR IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I TR IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
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W632GG8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB12I IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB15I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8AB-11 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8AB-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78WBGA
W632GG8AB-15 IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA
W632GG8KB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 78WBGA
W632GU8KT-12 IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-11 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-12 IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
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W631GU8MB-12 TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-15 IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB-15 TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8KB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA
W631GU8MB11I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GG8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GG8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB11I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB12I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB12I TR IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB15I IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W631GU8MB15I TR IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W632GU8MB-09 IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB11I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8MB09I IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GG8NB11J IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA
W632GU8NB12J IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA
W631GU8MB-11 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GU8MB-09 IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J TR IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB09J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB11J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB11I IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8MB12J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
W631GG8NB15J IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA
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제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

W631GG6KB는 8개로 구성된 1G 비트 DDR3 SDRAM입니다.388,608 단어 x 8 은행 x 16 비트. 이 장치는 다양한 응용 프로그램에 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) 까지의 고속 전송 속도를 달성합니다. W631GG6KB는 다음과 같은 속도 등급으로 분류됩니다: -11,-12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A 및 15K. -11 속도 등급은 DDR3-1866 (13-13-13) 사양에 적합합니다. -12, 12I,12A 및 12K 회전 등급은 DDR3-1600 (11-11-11) 사양에 적합합니다. ( -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C를 지원할 수 있는 12I 산업 등급)-15, 15I, 15A 및 15K 속도 등급은 DDR3-1333 (9-9-9) 사양에 적합합니다 (15I 산업 등급은 -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C를 지원 할 수 있습니다).

특징

전원 공급: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V
이중 데이터 레이트 구조: 시계 주기에 두 개의 데이터 전송
동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
8비트 프리페치 아키텍처
CAS 지연: 6, 7, 8, 9, 10, 11 및 13
∙ 펄스트 길이 8 (BL8) 및 펄스트 톱 4 (BC4) 모드: 모드 레지스터 (MRS) 를 통해 고정 또는 비행 중 (OTF) 선택
프로그램 할 수 있는 읽기 래스트 순서: 틈틈이 또는 nibble 순서
양방향, 차분 데이터 스트로브 (DQS 및 DQS#) 는 데이터와 함께 전송 / 수신됩니다.
읽기 데이터와 가장자리 정렬 및 기록 데이터와 중앙 정렬
DLL는 DQ와 DQS 전환을 시계와 일치시킵니다.
이차 시계 입력 (CK와 CK#)
각 긍정적 CK 가장자리, 데이터 및 데이터 마스크에 입력된 명령어는 미분 데이터 스트로브 쌍의 두 가장자리에 참조됩니다 (두 배 데이터 속도)
- 명령, 주소 및 데이터 버스 효율을 향상시키기 위해 프로그래밍 가능한 첨가 지연 (AL = 0, CL - 1 및 CL - 2) 으로 CAS를 게시
읽기 지연 = 추가 지연 + CAS 지연 (RL = AL + CL)
읽기 및 쓰기 펄스를 위한 자동 전 충전 동작
리프레쉬, 자기 리프레쉬, 자동 자기 리프레쉬 (ASR) 및 부분 배열 자기 리프레쉬 (PASR)
전 충전 전원 종료 및 활성 전원 종료

사양

속성 속성 값
제조업자 윈본드 전자제품
제품 분류 메모리 IC
시리즈 -
포장 트레이 대체 포장
패키지 케이스 78-TFBGA
작동 온도 0°C ~ 95°C (TC)
인터페이스 병렬
전압 공급 1.425V ~ 1.575V
공급자 제품 패키지 78-WBGA (10.5x8)
메모리 용량 1G (128M x 8)
메모리 타입 DDR3 SDRAM
속도 933MHz
형식 메모리 RAM

설명

SDRAM - DDR3 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 평행 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
DRAM 칩 DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78핀 WBGA