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W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA 윈본드 전자
| 브랜드 이름 | Winbond Electronics |
|---|---|
| 모델 번호 | W631GG8KB-11 |
| 최소 주문 수량 | 1 |
| 가격 | Based on current price |
| 포장 세부 사항 | 반 정적 봉지 & 고리 박스 |
| 배달 시간 | 3-5 일 |
| 지불 조건 | T/T |
| 공급 능력 | 재고 중 |
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x제품 상세 정보
| 기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
|---|---|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR3 | 메모리 용량 | 1Gbit |
| 메모리구성 | 128M Ｘ 8 | 기억기접합 | 대비 |
| 클럭 주파수 | 933 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
| 엑세스 시간 | 20 나노 초 | 전압 - 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
| 작동 온도 | 0' Ｃ ~ 95' Ｃ (TC) | 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | 78-tfbga | 공급자의 장치 패키지 | 78-WBGA(10.5x8) |
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| Part Number | Description | |
|---|---|---|
| W631GU8NB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8NB15I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB12I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB11I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB11I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GU8NB09I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8NB09I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8NB15I | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB12I | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB12I | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GU8NB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8NB11I | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB09I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8NB09I | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GG8NB-15 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8NB-15 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W631GG8NB-12 TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
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| W631GU8NB-09 | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W632GU8NB-09 | IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W632GU8NB15I | IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W632GG8NB09I | IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA | |
| W632GU8NB09I | IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8KB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA | |
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| W631GG8KB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA | |
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| W632GG8AB-15 | IC DRAM 2GBIT PAR 78WBGA | |
| W632GG8KB-09 | IC DRAM 2GBIT PAR 1066MHZ 78WBGA | |
| W632GU8KT-12 | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GG8MB-11 | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8MB-11 TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8MB-12 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GG8MB-12 TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GG8MB-15 | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W631GG8MB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GG8MB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GG8MB15I TR | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
| W631GU8MB11I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W631GU8MB12I TR | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78VFBGA | |
| W631GU8MB15I | IC DRAM 1GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W632GU8MB09I | IC DRAM 2GBIT PAR 78VFBGA | |
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| W631GG8MB-09 | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GU8MB-09 | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
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| W631GG8MB15J TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8MB11I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB15J TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8MB11J TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8MB09I TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8MB12J TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
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| W631GG8MB09J TR | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB09J | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
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| W631GG8MB11I | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8MB12J | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA | |
| W631GG8NB15J | IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA |
제품 설명
제품 세부 정보
일반 설명
W631GG6KB는 8개로 구성된 1G 비트 DDR3 SDRAM입니다.388,608 단어 x 8 은행 x 16 비트. 이 장치는 다양한 응용 프로그램에 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) 까지의 고속 전송 속도를 달성합니다. W631GG6KB는 다음과 같은 속도 등급으로 분류됩니다: -11,-12, 12I, 12A, 12K -15, 15I, 15A 및 15K. -11 속도 등급은 DDR3-1866 (13-13-13) 사양에 적합합니다. -12, 12I,12A 및 12K 회전 등급은 DDR3-1600 (11-11-11) 사양에 적합합니다. ( -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C를 지원할 수 있는 12I 산업 등급)-15, 15I, 15A 및 15K 속도 등급은 DDR3-1333 (9-9-9) 사양에 적합합니다 (15I 산업 등급은 -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C를 지원 할 수 있습니다).
특징
전원 공급: VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V이중 데이터 레이트 구조: 시계 주기에 두 개의 데이터 전송
동시 운영을 위한 8개의 내부 은행
8비트 프리페치 아키텍처
CAS 지연: 6, 7, 8, 9, 10, 11 및 13
∙ 펄스트 길이 8 (BL8) 및 펄스트 톱 4 (BC4) 모드: 모드 레지스터 (MRS) 를 통해 고정 또는 비행 중 (OTF) 선택
프로그램 할 수 있는 읽기 래스트 순서: 틈틈이 또는 nibble 순서
양방향, 차분 데이터 스트로브 (DQS 및 DQS#) 는 데이터와 함께 전송 / 수신됩니다.
읽기 데이터와 가장자리 정렬 및 기록 데이터와 중앙 정렬
DLL는 DQ와 DQS 전환을 시계와 일치시킵니다.
이차 시계 입력 (CK와 CK#)
각 긍정적 CK 가장자리, 데이터 및 데이터 마스크에 입력된 명령어는 미분 데이터 스트로브 쌍의 두 가장자리에 참조됩니다 (두 배 데이터 속도)
- 명령, 주소 및 데이터 버스 효율을 향상시키기 위해 프로그래밍 가능한 첨가 지연 (AL = 0, CL - 1 및 CL - 2) 으로 CAS를 게시
읽기 지연 = 추가 지연 + CAS 지연 (RL = AL + CL)
읽기 및 쓰기 펄스를 위한 자동 전 충전 동작
리프레쉬, 자기 리프레쉬, 자동 자기 리프레쉬 (ASR) 및 부분 배열 자기 리프레쉬 (PASR)
전 충전 전원 종료 및 활성 전원 종료
사양
| 속성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조업자 | 윈본드 전자제품 |
| 제품 분류 | 메모리 IC |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 트레이 대체 포장 |
| 패키지 케이스 | 78-TFBGA |
| 작동 온도 | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 공급 | 1.425V ~ 1.575V |
| 공급자 제품 패키지 | 78-WBGA (10.5x8) |
| 메모리 용량 | 1G (128M x 8) |
| 메모리 타입 | DDR3 SDRAM |
| 속도 | 933MHz |
| 형식 메모리 | RAM |
설명
SDRAM - DDR3 메모리 IC 1Gb (128M x 8) 평행 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
DRAM 칩 DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78핀 WBGA
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