MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC 플래시 1GBIT PARALLEL 48TSOP I 마이크로 기술 인크

브랜드 이름 Micron Technology Inc.
모델 번호 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
최소 주문 수량 1
가격 Based on current price
포장 세부 사항 반 정적 봉지 & 고리 박스
배달 시간 3-5 일
지불 조건 T/T
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제품 상세 정보
기억 영역형 비휘발성입니다 메모리 포맷 플래시
기술 플래시 - NAND 메모리 용량 1Gbit
메모리구성 128M X 8 기억기접합 대비
클럭 주파수 - 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 -
엑세스 시간 - 전압 - 공급 2.7V ~ 3.6V
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착형 표면 마운트
패키지 / 케이스 48 TFSOP (0.724 ", 18.40 밀리미터 폭) 공급자의 장치 패키지 48-TSOP I
필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
Part Number Description
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
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M29F160FB5AN6F2 IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
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TE28F160C3BD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
TE28F160C3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
TE28F320C3TD70A IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
TE28F160C3BD90A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160B3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160C3BD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F160C3TD70A IC FLASH 16MBIT PAR 48TSOP I
JS28F320C3BD70A IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
JS28F320C3TD70 IC FLASH 32MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08CBACAWP-IT:C TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F64G08AFAAAWP-IT:A TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08AFABAWP:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08AFABAWP-IT:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
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NAND128W3AABN6E IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
NAND512R3A2SN6E IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
NAND512R3A2SN6F IC FLASH 512MBIT PAR 48TSOP I
MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAAAWP:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAABWP-12:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJABAWP-IT:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CJAABWP-12:A TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFCGBWP-10M:G IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F128G08EBEBBWPES:B TR IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10ES:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
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NAND128W3AABN6F TR IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
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MT29F256G08CJABBWP-12IT:B IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B IC FLASH 128GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F4G08ABAEAWP:E TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F2G08ABAEAWP-E:E TR IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABADAWP-E:D TR IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F32G08CBADBWP-12IT:D IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B IC FLASH 16GBIT PAR 48TSOP I
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F32G08CBADAWP-M:D IC FLASH 32GBIT PAR 48TSOP I
MT29F4G08ABADAWP-AT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F64G08CBABAWP-M:B IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F128G8CFABBWP-12:B IC FLASH 128GBIT 48TSOP
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MT29F64G08CBABBWPR:B IC FLASH 64GBIT PAR 48TSOP I
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MT29F1G08ABADAWP-E:D IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F2G08ABAEAWP-E:E IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT29F4G08ABADAWP-E:D IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
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MT29F512G08CFCBBWP-10M:B IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
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Part Number Description
제품 설명

제품 세부 정보

일반 설명

마이크론 NAND 플래시 장치에는 고성능 I/O 작업을 위한 비동기 데이터 인터페이스가 포함되어 있다. 이 장치들은 명령어, 주소 및 데이터를 전송하기 위해 고중화 8비트 버스 (I/Ox) 를 사용합니다.아시크론 데이터 인터페이스를 구현하는 데 사용되는 다섯 개의 제어 신호가 있습니다.: CE#, CLE, ALE, WE#, RE#. 추가 신호 제어 하드웨어 기록 보호 및 장치 상태를 모니터링 (R / B #).
이 하드웨어 인터페이스는 하나의 밀도에서 다른 밀도에서 동일하게 유지되는 표준 핀 아웃을 가진 낮은 핀 카운트 장치를 생성하여 보드 재설계 없이 더 높은 밀도 연결에 대한 향후 업그레이드를 가능하게합니다.
대상 (target) 은 칩 활성화 신호에 의해 액세스되는 메모리 단위이다. 대상에는 하나 이상의 NAND 플래시 디가 포함되어 있다.NAND 플래시 다이는 명령어를 독립적으로 실행하고 상태를보고 할 수있는 최소 단위입니다.. ONFI 사양에서 NAND 플래시 다이는 논리 단위 (LUN) 로 지칭된다. 칩 활성화 신호에 적어도 하나의 NAND 플래시 다이가 있다. 자세한 내용은장치 및 배열 조직 참조.
이 장치는 GET/SET 기능을 사용하여 활성화할 수 있는 내부 4비트 ECC를 가지고 있습니다.
더 자세한 내용은 ECC의 내부 ECC 및 예비 영역 지도를 참조하십시오.

특징

• 오픈 NAND 플래시 인터페이스 (ONFI) 1.0 호환1
• 단일 수준 세포 (SLC) 기술
• 조직
페이지 크기는 x8: 2112 바이트 (2048 + 64 바이트)
페이지 크기 x16: 1056 단어 (1024 + 32 단어)
블록 크기: 64 페이지 (128K + 4K 바이트)
비행기의 크기: 2개의 비행기 x 2048개의 블록
장치 크기: 4Gb: 4096 블록; 8Gb: 8192 블록 16Gb: 16,384 블록
• 비동기 I/O 성능
TRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• 배열 성능
페이지 읽기: 25μs 3
프로그램 페이지: 200μs (1.8V, 3.3V)
지우기 블록: 700μs (TYP)
• 명령 집합: ONFI NAND 플래시 프로토콜
• 고급 명령어 세트
프로그램 페이지 캐시 모드4
페이지 캐시 모드 4 읽기
1회 프로그래밍 (OTP) 모드
2면 명령어 4
✅ 횡단선 (LUN) 작업
독보적인 ID를 읽습니다
블록 잠금 (1.8V만)
내부 데이터 이동
• 운영 상태 바이트는 탐지 소프트웨어 방법을 제공합니다.
사업 완수
합격/실패 조건
기록 보호 상태
• Ready/Busy# (R/B#) 신호는 작업 완료를 감지하는 하드웨어 방법을 제공합니다.
• WP# 신호: 전체 장치를 보호
• 첫 번째 블록 (블록 주소 00h) 은 ECC를 가지고 공장에서 출하 할 때 유효합니다. 필요한 최소 ECC에 대해 오류 관리 참조하십시오.
• 블록 0은 프로그램/러세이 주기가 1000보다 작으면 1비트 ECC가 필요합니다.
• 켜기 후 첫 번째 명령으로 재설정 (FFh)
• 전원을 켜면 장치 초기화 (Nand_In it) 의 대체 방법 (연결 공장)
• 데이터를 읽는 평면 내에서 지원되는 내부 데이터 이동 작업
• 품질과 신뢰성
데이터 보존 기간: 10년
내구성: 100,000 프로그램/삭제 주기
• 작동 전압 범위
VCC: 2.7~3.6V
VCC: 1.7V 1.95V
• 작동 온도:
상업용: 0°C ~ +70°C
산업 (IT): 40oC ~ + 85oC
• 패키지
48pin TSOP 타입 1, CPL2
63볼 VFBGA

사양

속성 속성 값
제조업자 마이크론 테크놀로지
제품 분류 메모리 IC
패키지 케이스 48-TFSOP
기술 플래시 - NAND
작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA)
장착형 표면 마운트
전압 공급 2.7V ~ 3.6V
메모리 용량 1GB (128M x 8)
메모리 타입 비휘발성
메모리 인터페이스 병렬
패키지 테이프 & 롤 (TR)
메모리 형식 플래시