IS42S16400J-7TL IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II ISSI, 통합 실리콘 솔루션 Inc.

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x기억 영역형 | 휘발성 물질 | 메모리 포맷 | DRAM |
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기술 | SDRAM | 메모리 용량 | 64Mbit |
메모리구성 | 4M X 16 | 기억기접합 | 대비 |
클럭 주파수 | 143 마하즈 | 페이지, 순환 주기 - 단어 씁니다 | - |
엑세스 시간 | 5.4 나노 초 | 전압 - 공급 | 3V ~ 3.6V |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) | 장착형 | 표면 마운트 |
패키지 / 케이스 | 54 TSOP (0.400 ", 10.16 밀리미터 폭) | 공급자의 장치 패키지 | 54-TSOP II |
Part Number | Description | |
---|---|---|
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IS42S16400D-6TLI-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S81600D-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16800D-75ETLI-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800B-7TLA1-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S83200B-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-7TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-7TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-6TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-6TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-7TL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-7TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-7TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-7TL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16800E-7TL | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S81600E-7TL | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S83200D-7TL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16400F-5TL | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S16800E-6TL | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16800E-6TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16800E-6TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S16800E-75ETL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S16800E-7TLI | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S83200D-6TL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S83200D-6TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S83200D-7TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S83200D-7TLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S86400B-7TL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S86400B-7TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16400F-6TLA1 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16400F-6TLA1-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16400F-7TLA1 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16400F-7TLA1-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S16400F-7TL-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16800E-7TL-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS41C16100C-50TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II | |
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IS41C16105C-50TLI | IC DRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | |
IS41C16105C-50TLI-TR | IC DRAM 16MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-75ETL | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-75ETLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-75ETLI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160D-75ETL-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-6TL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-6TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-6TLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-6TL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-75ETL | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-75ETLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-75ETLI-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16320B-75ETL-TR | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S83200D-75ETLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS42S86400B-7TLI | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS45S16160D-7TLA1 | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS45S16320B-7TLA1 | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | |
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IS45S16400J-6TLA2 | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16400J-6TLA2-TR | IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-6TLA1 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-6TLA1-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-7TLA1 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-7TLA1-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-7TLA2 | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS45S16800E-7TLA2-TR | IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42VS16160J-75TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42VM16160D-8TLI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160G-6TI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160J-6TI-TR | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160G-6TI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II | |
IS42S16160J-6TI | IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
제품 세부 정보
설명
64Mb SDRAM는 67,3V 메모리 시스템에서 작동하도록 설계된 고속 CMOS, 동적 무작위 액세스 메모리입니다.108,864비트, 내부로 구성된 쿼드 뱅크 DRAM와 동기 인터페이스777,216비트 은행은 4,096줄에 256개의 열에 16비트로 구성되어 있습니다.
64Mb SDRAM에는 AUTO REFRESH MODE와 전력 절약, 전력 다운 모드가 포함되어 있습니다. 모든 신호는 클럭 신호의 긍정적 인 가장자리에 등록됩니다.모든 입력과 출력은 LVTTL 호환.
64Mb SDRAM은 자동 열 주소 생성과 함께 높은 데이터 속도에서 데이터를 동기화 할 수 있습니다.내부 뱅크들 사이에 틈새를 가해 전 충전 시간을 숨길 수 있는 기능과 펄스 액세스 중에 각 시계 사이클에서 랜덤하게 열 주소를 변경할 수 있는 기능.
자율적으로 시간 정렬 된 라인 사전 충전이 폭발 순서의 끝에서 시작되며 AUTO PRECHARGE 기능이 활성화되어 있습니다.다른 세 은행의 하나에 액세스하는 동안 한 은행을 미리 충전, 고속, 무작위 접근 작업.
SDRAM 읽기 및 쓰기 접근은 선택된 위치에서 시작하여 프로그래밍 된 순서에서 프로그래밍 된 위치의 숫자를 계속합니다.ACTIVE 명령어 등록 시작 액세스, 다음으로 READ 또는 WRITE 명령어. 등록된 주소 비트와 함께 ACTIVE 명령어는 액세스 할 은행과 행을 선택하는 데 사용됩니다 (BA0, BA1 은행을 선택;A0-A11 행을 선택). 등록된 주소 비트와 함께 READ 또는 WRITE 명령어는 번스트 액세스를위한 시작 열 위치를 선택하는 데 사용됩니다.
프로그래밍 가능한 READ 또는 WRITE 래스트 길이는 1, 2, 4 및 8 위치 또는 래스트 종료 옵션과 함께 전체 페이지로 구성됩니다.
특징
• 시계 주파수: 166, 143 MHz
• 완전 동기화; 모든 신호는 긍정적 인 시계 가장자리에 참조됩니다.
• 숨겨진 행 접근/전전 충전용 내부 은행
• 단일 3.3V 전원 공급
• LVTTL 인터페이스
• 프로그램 할 수 있는 폭발 길이 (1, 2, 4, 8, 전체 페이지)
• 프로그래밍 가능한 폭발 순서: 순서 / 간격
• 자동 갱신 방식
• 4096 리프레쉬 사이클
• 각 시계 사이클의 무작위 열 주소
• 프로그래밍 가능한 CAS 지연 시간 (2, 3 시간)
• 퍼스트 읽기 / 쓰기 및 퍼스트 읽기 / 단일 쓰기 작업 기능
• 폭발 중지 및 전 충전 명령에 의해 폭발 종료
• LDQM 및 UDQM에 의해 제어 바이트
패키지: 400 밀리 54 핀 TSOP II
• 납 없는 패키지가 제공됩니다.
• 산업용 온도에서 사용 가능
• 전원 끄기 및 깊은 전원 끄기 모드
• 부분적 배열 자기 갱신
• 온도 상응 자생
• 출력 드라이버 강도 선택 (모바일 기능 세부 사항에 대해 제품 관리자와 연락하십시오)
사양
속성 | 속성 값 |
---|---|
제조업자 | ISSI |
제품 분류 | 메모리 IC |
시리즈 | - |
포장 | 트레이 대체 포장 |
패키지 케이스 | 54-TSOP (0.400", 10.16mm 너비) |
작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
인터페이스 | 병렬 |
전압 공급 | 3V ~ 3.6V |
공급자 제품 패키지 | 54-TSOP II |
메모리 용량 | 64M (4M x 16) |
메모리 타입 | SDRAM |
속도 | 143MHz |
형식 메모리 | RAM |