S29GL512S10DHI010 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA 인피니언 테크놀로지

GL-S MirrorBit® EclipseTM 플래시 비휘발성 메모리 가족

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 볼트 코어 다재다능 I/O

일반 설명

사스펜션® S29GL01G/512/256/128S는 65nm 프로세스 기술로 제조된 MirrorBit Eclipse 플래시 제품입니다.이 장치들은 15 ns까지 빠른 페이지 접속 시간을 제공하며 90 ns까지 빠른 무작위 접속 시간을 제공합니다.. 그들은 최대 256 단어/512 바이트가 하나의 작업에서 프로그래밍 될 수 있도록 하는 Write Buffer를 갖추고, 더 효과적인 inf
표준 프로그래밍 알고리즘보다 더 많은 프로그래밍 시간을 필요로 합니다. 이것은 이러한 장치를 더 높은 밀도, 더 나은 성능 및 낮은 전력 소비를 요구하는 오늘날의 임베디드 애플리케이션에 이상적으로 만듭니다.

특징적 인 특성

65nm 미러비트 일클립스 기술
읽기 / 프로그램 / 삭제 (2,7V ~ 3.6V)
다양한 I/O 기능
넓은 I/O 전압 범위 (VIO): 1.65V ~ VCC
데이터 버스 x16
32바이트의 비동기 페이지 읽기
512 바이트 프로그래밍 버퍼
페이지 멀티플릿에서 프로그래밍, 최대 512 바이트
같은 단어 옵션에 대한 단일 단어 및 여러 프로그램
부문 삭제
일률적인 128kbytes 섹터
프로그램 및 지우기 작업에 대한 명령어를 중지 및 재개
상태 레지스터, 데이터 설문 조사 및 장치 상태를 결정하기 위한 준비/업무 상태 핀 방법
부문 보호 (ASP)
각 부문별로 휘발성 및 비휘발성 보호 방법
2개의 잠금 가능한 영역을 가진 1024바이트 한 번 프로그램 (OTP) 배열을 분리
(CFI) 매개 변수 표
∼온도 범위
산업용 (-40°C ~ +85°C)
∙ 객실 내 (-40°C ~ +105°C)
모든 부문별로 100000번 지워버리는 사이클
20년 데이터 보존
포장 옵션
56핀 TSOP
64볼 LAA 강화된 BGA, 13mm x 11mm
64볼 LAE 강화된 BGA, 9mm x 9mm
56볼 VBU 강화된 BGA, 9mm x 7mm