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키워드 [ surface mount clock timing ic ] 시합 276 상품.
CY7C1480BV33-250BZI IC SRAM 72MBIT PAR 165FBGA 인피니언 테크놀로지
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | SRAM |
기술: | SRAM - 동시에 일어나는, SDR |
AT25020AY1-10YU-1.8 IC EEPROM 2KBIT SPI 20MHZ 8MAP 마이크로칩 기술
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | EEPROM |
기술: | EEPROM |
MT29F128G08CBCABH6-6:A TR IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND |
MT29F128G08AMCABH2-10:A IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND |
M68AW031AM70N6T IC SRAM 256KBIT 병렬 28TSOP STMicroelectronics
기억 영역형: | 휘발성 물질 |
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메모리 포맷: | SRAM |
기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
MT29F512G08CKCABH7-6:A TR IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND (MLC) |
MT29F128G08AKAAAC5:A IC 플래시 128GBIT PARALLEL 52VLGA 마이크론 테크놀로지 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND |
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA 마이크로 기술 인크
기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
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메모리 포맷: | 플래시 |
기술: | 플래시 - NAND (MLC) |
SPC5644CF0VLU8 IC MCU 32비트 1.5MB 플래시 176LQFP N✖P USA Inc.
핵심 프로세서: | e200z4d, e200z0h |
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코어 크기: | 듀얼 코어된 32-비트 |
속도: | 80MHz/120MHz |