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X28HC64JIZ-12 IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 32PLCC 르네상스 전자제품 미국
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
S29GL512S10GHI020 IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56FBGA 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
M95640-DFDW6TP IC EEPROM 64KBIT SPI 8TSSOP STMicroelectronics
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | EEPROM |
| 기술: | EEPROM |
AS7C256A-12JCN IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ 얼라이언스 메모리, 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 비동시적입니다 |
DS1270Y-70# IC NVSRAM 16MBIT 병렬 36EDIP Analog Devices Inc./Maxim 통합
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | NVSRAM |
| 기술: | NVSRAM (비휘발성 SRAM) |
MT46H16M32LFCM-6 TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR |