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키워드 [ surface mount clock timing ic ] 시합 276 상품.
MT25QL256ABA8ESF-0SIT IC FLASH 256MBIT SPI 133MHZ 16SO 마이크로 기술 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
S25FL064LABMFI013 IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC 인피니언 테크놀로지
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 플래시 |
| 기술: | 플래시 -도 또한 |
MT53B512M32D2NP-062 AIT:C TR IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA 마이크로 기술 인.
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
MT53D1024M32D4DT-046 AIT:D IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 200VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
GS8662QT19BGD-333I IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FPBGA GSI 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | SRAM |
| 기술: | SRAM - 쿼드 포트, 동기식 |
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | DRAM |
MT53D512M64D4NW-053 WT:D IC DRAM 32GBIT 1.866GHZ 432VFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - DDR4 |
MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR IC DRAM 64GBIT 2.133GHZ 376WFBGA 마이크론 테크놀로지 인크
| 기억 영역형: | 휘발성 물질 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | DRAM |
| 기술: | SDRAM - 모바일 LPDDR4 |
MB85RS128TYPNF-GS-BCERE1 IC FRAM 128KBIT SPI 33MHZ 8SOP 카가 FEI 아메리카, 인크
| 기억 영역형: | 비휘발성입니다 |
|---|---|
| 메모리 포맷: | 프람 |
| 기술: | 프람 (강유전체 RAM) |